[實用新型]一種光纖氣體處理裝置

有效

• 申請號: 201821202290.8
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN208802993U
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 張云朋;李強;邢應朋;申菲翔;許永;王懷童;王駿杰;王曉娟
• 申請（專利權）人: 江蘇南方光纖科技有限公司
• 主分類號: C03C25/66
• 分類號: C03C25/66
• 代理公司: 蘇州睿昊知識產權代理事務所(普通合伙) 32277
• 代理人: 陳蜜

本實用新型公開了一種光纖氣體處理裝置，包括罐體和氣體分配組件，所述罐體上設置有進氣口、排氣口和罐門，所述氣體分配組件包括氣體混合腔、氫氣罐、氮氣罐和氘氣罐，所述氣體混合腔一端分別與氫氣罐、氮氣罐和氘氣罐連接，所述氣體混合腔的另一端與進氣口連接；所述罐體上開設有第一孔洞，所述第一孔洞內設置有與第一孔洞相配合的軟塞，所述軟塞內貫穿開設有能夠穿設光纖的槽體，所述軟塞與罐體間還設置有固定組件。其既能對光纖進行氘氣處理又可進行氫損處理，一罐多用，節約時間，縮小成本，提高工作效率。

技術領域

本實用新型涉及光纖生產技術領域，具體涉及一種光纖氣體處理裝置。

背景技術

在光纖在通訊窗口中，受到SiO₂材料自身材料特性的影響，光纖傳輸時衰減特性會在光纖通信窗口1383nm處的衰減顯著增加。因此光纖拉制成型后都要經過氘處理，才能夠經受住長時間的含氫環境的侵蝕。

氘氣處理的原理是讓氘原子和Si-O自由基團形成Si-OD，取代1383nm處吸收峰-OH中的氫原子，這樣在光纖的整個壽命期間，氫原子無法取代氘的位置，且-OD自由基團的吸收峰不在光纖通信窗口內。氘原子和Si-O自由基團的反應如下：Si-O+D₂→Si-OD；

光纖生產過程中需要進行氘氣處理，由于空氣中氘氣的含量是可以忽略不計，所以需要將光纖放置在特殊罐體內，讓光纖在氘氣環境中進行反應。

光纖生產完成后，需要驗證光纖1383nm處水峰的附加衰減特性，是將氘氣處理完成的光纖放置在特殊罐體內，讓光纖在氫氣的環境中進行反應，驗證氘氣處理效果，保證氘氣處理后的光纖能夠經受住長時間的含氫環境的侵蝕，氫和光纖的反應如下：

Si-OD+H←Si-OH+D；

Si-O+H₂→Si-OH。

現有的光纖生產模式下，光纖需先進行氘氣處理環節，目的是消除1383nm處的水峰，周期時間內再進行氫損試驗，氫損試驗的目的是驗證氘氣處理后的光纖在含氫環境的抗侵蝕能力。目前氘氣處理系統與氫損實驗裝置重復率高，需反復進行試驗。

而氫氣處理費時費力，自動化程度不高，生產效率低，且密封效果差，需定時補充氣體，影響處理效果。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種光纖氣體處理裝置，其既能對光纖進行氘氣處理又可進行氫損處理，一罐多用，節約時間，縮小成本，提高工作效率。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種光纖氣體處理裝置，包括罐體和氣體分配組件，所述罐體上設置有進氣口、排氣口和罐門，所述氣體分配組件包括氣體混合腔、氫氣罐、氮氣罐和氘氣罐，所述氣體混合腔一端分別與氫氣罐、氮氣罐和氘氣罐連接，所述氣體混合腔的另一端與進氣口連接；所述罐體上開設有第一孔洞，所述第一孔洞內設置有與第一孔洞相配合的軟塞，所述軟塞內貫穿開設有能夠穿設光纖的槽體，所述軟塞與罐體間還設置有固定組件。

作為優選的，所述固定組件包括套筒和圓環形的固定件，所述固定件套設在所述軟塞上且與所述罐體固定設置，所述固定件的外側壁和所述套筒的內側壁設置相配合的螺紋，所述套筒的頂部貫穿開設有穿設光纖的第二孔洞。

作為優選的，所述槽體由軟塞的中心軸向軟塞的側面切開設置。

作為優選的，所述軟塞的外徑由第一孔洞的內部向外部逐漸變大。

作為優選的，所述罐體為圓柱形罐體。

作為優選的，還包括水循環組件，所述水循環組件包括水箱、電熱絲和水泵，所述電熱絲設置在所述水箱內部，所述罐體內部設置有儲水腔和放置光纖的工作腔，所述儲水腔環繞所述工作腔設置，所述儲水腔上設置有進水口和出水口，所述水箱分別與進水口和出水口通過管道連接，所述管道上設置有水泵，所述進氣口、出氣口和第一孔洞皆與所述工作腔連通。