[實(shí)用新型]低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821189250.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-25
• 公開（公告）號(hào): CN208608361U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張小磊;王孟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安三維通信有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01Q21/06
• 分類號(hào): H01Q21/06;H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 閆家偉

1.一種低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，包括：輻射層(1)、耦合層(2)、饋電網(wǎng)絡(luò)層(3)；其中，

所述輻射層(1)設(shè)置于所述耦合層(2)上方；

所述饋電網(wǎng)絡(luò)層(3)設(shè)置于所述耦合層(2)下方；

所述輻射層(1)上設(shè)置有去耦柵(4)和輻射縫(5)；

所述去耦柵(4)位于相鄰所述輻射縫(5)橫向中心，以減小相鄰所述輻射縫(5)的互耦效應(yīng)；

所述去耦柵(4)為凹槽型結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述去耦柵(4)的寬度小于或等于1/2所述相鄰輻射縫(5)的間距，所述去耦柵(4)的高度為λmax/16，所述去耦柵(4)的凹槽深度為λmax/16，所述凹槽寬度為1/3所述去耦柵(4)寬度；其中，λmax為所述波導(dǎo)平板陣列天線工作頻段內(nèi)的低頻對(duì)應(yīng)的電磁波波長。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述輻射層(1)還設(shè)置有多個(gè)諧振腔(6)，所述諧振腔(6)上有四個(gè)所述輻射縫(5)，且所述四個(gè)所述輻射縫(5)分別緊貼所述諧振腔(6)的四個(gè)側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述耦合層(2)設(shè)置有多個(gè)耦合腔(7)；其中，所述耦合腔(7)與所述諧振腔(6)對(duì)應(yīng)設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述饋電網(wǎng)絡(luò)層(3)設(shè)置有第一匹配臺(tái)階(10)、波導(dǎo)功分器(11)，饋電口(12)和匹配隔板(9)；其中，

所述波導(dǎo)功分器(11)包括主波導(dǎo)和分支波導(dǎo)；

所述分支波導(dǎo)設(shè)置于所述主波導(dǎo)的寬壁上；

所述匹配隔板(9)設(shè)置于所述分支波導(dǎo)的側(cè)壁上，且所述匹配隔板正對(duì)所述主波導(dǎo)的波導(dǎo)口，用于調(diào)節(jié)所述波導(dǎo)功分器的反射損耗；

所述饋電口(12)連接所述波導(dǎo)功分器，且所述饋電口垂直設(shè)置于所述波導(dǎo)平板陣列天線陣面；

所述第一匹配臺(tái)階(10)為多個(gè)；其中，所述第一匹配臺(tái)階(10)連接所述波導(dǎo)功分器，且所述第一匹配臺(tái)階(10)與所述耦合腔(7)對(duì)應(yīng)設(shè)置，用于調(diào)節(jié)所述饋電網(wǎng)絡(luò)層(3)到所述耦合腔(7)轉(zhuǎn)換時(shí)引入的電抗，還用于引導(dǎo)電磁波信號(hào)的傳導(dǎo)方向。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述波導(dǎo)功分器(11)為E-T分支波導(dǎo)功分器。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的低剖面去耦柵結(jié)構(gòu)的波導(dǎo)平板陣列天線，其特征在于，所述耦合層(2)還設(shè)置有第二匹配臺(tái)階(8)，所述第二匹配臺(tái)階(8)與所述饋電口(12)對(duì)應(yīng)設(shè)置，用于調(diào)節(jié)所述饋電口(12)處的反射損耗。