[實用新型]一種磁控濺射裝置和磁控濺射設備

有效

• 申請號: 201821184166.3
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN208604202U
• 公開（公告）日: 2019-03-15
• 發明（設計）人: 李皓瑜;劉宇翔;張建紅;朱之貞;胡建明;陳權;楊津聽;李坤倫;柴大克;孫勝凡;丁潔;周雄飛;聶川濱;楊紅飛;俞云坤;曾仁武
• 申請（專利權）人: 昆明星眾科技孵化器有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

本實用新型公開一種磁控濺射裝置，包括真空室、自轉電機、中齒輪、減速箱、公轉電機、靶基距調控箱和磁控濺射靶，自轉電機輸出端進入真空室內與中齒輪嚙合的小齒輪連接，中齒輪上固定安裝一個齒輪組，齒輪組兩邊嚙合連接自轉齒輪，自轉齒輪上安裝自轉軸，自轉軸頭端安裝工件架；公轉電機輸出端與安裝在真空室外頂部中間的減速箱連接，減速箱與公轉軸連接，真空室底部安裝有抽氣孔、磁控濺射靶、充氣孔及加熱器，磁控濺射靶上安裝靶基距調控箱。可實現工件的自轉與公轉，且靶基距、偏心距及轉速比均可調節，裝置整體結構簡單、設計合理新穎、功能全面，為小靶材大基片多工位磁控濺射鍍膜膜厚均勻性的研究與分析奠定基礎。

技術領域

本實用新型涉及磁控濺射技術領域，具體的涉及一種磁控濺射裝置和磁控濺射設備。

背景技術

近年來國內外許多學者對磁控濺射薄膜厚度分布進行了廣泛的研究，關于磁控濺射薄膜的厚度分布模型已有較多的文獻進行了討論，為了制備均勻性良好的薄膜，人們采用很多方法,主要分兩大類：第一，通過改變靶的結構、形狀、磁場的分布來控制鍍料的沉積區域，因為靶材的刻蝕與磁控靶的磁場分布有關，研究靶的刻蝕實際：是研究濺射過程，從而保證鍍膜的均勻性；第二，通過調整工件與靶的相對位置，以及采用工件的不同運動來獲得良好的鍍膜效果。

目前，磁控濺射領域還沒有文章具休地闡述關于小靶大基片膜厚均勻性的問題，沒有全面地關于工件-靶材不同相對位置以及工件不同運動形式與膜厚均勻性關系的論述，也沒有一款較為完整的能夠實現多工位鍍膜裝置的提出。因此，研究小靶材對應大基片鍍膜薄膜均勻性，需要設計一款新型的可實現靶基距、偏心距精確調節且能實現基片自轉公轉可控的磁控濺射裝置。

實用新型內容

針對現有技術存在的上述問題，本實用新型提供了一種磁控濺射裝置，可實現工件的自轉與公轉，且靶基距、偏心距及轉速比均可調節，裝置整體結構簡單、設計合理新穎、功能全面，為小靶材大基片多工位磁控濺射鍍膜膜厚均勻性的研究與分析奠定基礎。

為實現上述技術目的，達到上述技術效果，本實用新型是通過以下技術方案實現：

一種磁控濺射裝置，包括真空室、自轉電機、中齒輪、減速箱、公轉電機、靶基距調控箱和磁控濺射靶；真空室外頂部的左右側分別垂直安裝自轉電機和公轉電機；

所述自轉電機輸出端進入真空室內與中齒輪嚙合的小齒輪連接，中齒輪上固定安裝一個齒輪組，齒輪組通過軸承與真空室內的公轉軸上套的套筒連接，齒輪組兩邊嚙合連接自轉齒輪，自轉齒輪上安裝自轉軸，自轉軸頭端安裝工件架；所述公轉電機輸出端與安裝在真空室外頂部中間的減速箱連接，減速箱與公轉軸連接，公轉軸下端安裝偏心距調動塊，末端安裝公轉盤，減速箱上端安裝偏心距調動箱，偏心距調動箱連接公轉軸上的套筒，

公轉盤上設計4個滑槽滑塊機構，滑塊上安裝軸承與偏心距調動塊上安裝的觸手固定，公轉盤徑向的滑塊外側開設螺紋孔并裝有彈簧，螺紋孔通過螺栓封孔并頂住彈簧的一側；

公轉盤上均布有4個圓形孔用于固定自轉軸，真空室底部安裝有抽氣孔、磁控濺射靶、充氣孔及加熱器，磁控濺射靶上安裝靶基距調控箱。

優選的，所述公轉電機輸出端外接渦輪蝸桿變向后與安裝在真空室外頂部中間的減速箱連接，減速箱的輸出軸通過齒輪與公轉軸連接。

優選的，所述公轉盤上設計4個滑槽滑塊機構為公轉盤徑向開設4個滑槽，滑槽上安裝4個滑塊，滑塊上安裝軸承與偏心距調動塊上安裝的觸手固定，同時滑塊與自轉齒輪上的自轉軸連接；所述偏心距調動塊為錐形調動塊。

優選的，所述齒輪組有半徑大小不同的多個齒輪組成，并與自轉齒輪相配合，帶動自轉軸轉動從而帶動工件架自轉，偏心距調動箱可使套筒向上或向下運動。

優選的，所述磁控濺射靶上安裝靶基距調控箱，通過旋轉靶基距調控箱直接調整磁控濺射靶的縱向位置。