[實用新型]一種射頻開關芯片

有效

• 申請號: 201821166207.6
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN208521928U
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發明（設計）人: 周正
• 申請（專利權）人: 江蘇卓勝微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/58
• 分類號: H01L23/58;H01L23/64;H01L21/60;H03K17/64
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種射頻開關芯片，其特征在于，包括：

基板、開關管芯和多根鍵合線，所述開關管芯設置于所述基板上，并通過所述鍵合線與所述基板電連接，所述開關管芯包括至少一個射頻發射端口；

與所述射頻發射端口電連接的低通濾波器，所述低通濾波器包括至少一個第一濾波元件、至少兩個第二濾波元件和部分所述鍵合線，至少部分所述第一濾波元件集成在所述基板上，至少部分所述第二濾波元件集成在所述開關管芯上；

其中，所述第二濾波元件通過所述鍵合線與所述第一濾波元件電連接，所述低通濾波器內的所述鍵合線在所述基板上的垂直投影位于所述第一濾波元件上，且與部分所述第一濾波元件之間存在互感。

2.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述第一濾波元件為電感，所述第二濾波元件為電容。

3.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述低通濾波器還包括第一端和第二端，所述低通濾波器的第一端集成在所述開關管芯上，第二端集成在所述基板上；

所述第一濾波元件包括第一電感，所述第二濾波元件包括第一電容和第二電容；

所述第一電感的第一端通過第一鍵合線與所述低通濾波器的第一端電連接，第二端與所述低通濾波器的第二端電連接；

所述第一電容的第一端與所述低通濾波器的第一端電連接，第二端通過第三鍵合線與接地線電連接；

所述第二電容的第一端與所述低通濾波器的第一端電連接，第二端通過第四鍵合線與所述接地線電連接。

4.根據權利要求3所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述第二濾波元件還包括第三電容，所述第三電容的第一端與所述第一電容的第一端電連接，第二端與所述第二電容的第一端電連接。

5.根據權利要求2所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述電感包括形成在所述基板上的螺旋線圈。

6.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述鍵合線為銅線或金線。

7.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，還包括：低頻段低通低通濾波器和高頻段低通濾波器。

8.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述基板包括：第一金屬層、介質層、第二金屬層、過孔和封裝管腳；

所述第一金屬層位于所述基板靠近所述開關管芯的一側，且所述第一濾波元件設置于所述第一金屬層；

所述第二金屬層位于所述基板遠離所述開關管芯的一側，且所述封裝管腳設置于所述第二金屬層；

所述介質層位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間，且所述介質層的第一面與所述第一金屬層貼合，所述介質層的第二面與所述第二金屬層貼合；

所述過孔貫穿所述介質層，用于連接所述第一金屬層和所述第二金屬層。

9.根據權利要求8所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片采用柵格陣列封裝。

10.根據權利要求1所述的射頻開關芯片，其特征在于，所述射頻開關芯片采用SOI工藝、GaAs工藝或CMOS工藝。