[實用新型]背照式圖像傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821149284.0
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN208548351U
• 公開（公告）日: 2019-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 韓昌勛
• 申請（專利權）人: DBHiTek株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙) 31239
• 代理人: 余文娟

1.背照式圖像傳感器，包括：

像素區(qū)域，其設置在襯底中；

布線層，其設置在所述襯底的前側表面上并與所述像素區(qū)域電連接；

濾色器層，其設置在所述襯底的背側表面上；

微透鏡陣列，其設置在所述濾色器層上；和

隔離區(qū)域，其被配置為將所述像素區(qū)域彼此電隔離，

其中，每個所述隔離區(qū)域包括深溝槽隔離區(qū)域和設置在所述深溝槽隔離區(qū)域上的淺溝槽隔離區(qū)域。

2.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述深溝槽隔離區(qū)域包括摻雜雜質的多晶硅。

3.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述淺溝槽隔離區(qū)域包括氧化硅。

4.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述淺溝槽隔離區(qū)域包括襯墊絕緣層和設置在所述襯墊絕緣層上的氧化硅區(qū)域。

5.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中所述深溝槽隔離區(qū)域從所述淺溝槽隔離區(qū)域延伸到所述襯底的背側表面。

6.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，其中每個所述像素區(qū)域包括：

電荷累積區(qū)域，其設置在所述襯底中；和

前側釘扎層，其設置在所述襯底的前側表面和所述電荷累積區(qū)域之間。

7.如權利要求6所述的背照式圖像傳感器，其中每個所述像素區(qū)域還包括設置在所述襯底的背側表面和所述電荷累積區(qū)域之間的背側釘扎層。

8.如權利要求1所述的背照式圖像傳感器，進一步包括：

抗反射層，其設置在所述襯底的背側表面上；

阻光圖案，其設置在所述抗反射層上并且具有對應于所述像素區(qū)域的開口；和

鈍化層，其設置在所述抗反射層和所述阻光圖案上，

其中，所述濾色器層設置在鈍化層上。

9.背照式圖像傳感器，包括：

像素區(qū)域，其設置在襯底中；

布線層，其布置在所述襯底的前側表面上并與所述像素區(qū)域電連接；

濾色器層，其設置在所述襯底的背側表面上；

微透鏡陣列，其設置在所述濾色器層上；

隔離區(qū)域，其被配置為將所述像素區(qū)域彼此電隔離；和

吸雜區(qū)域，其從所述隔離區(qū)域向所述襯底的背側表面延伸并且收集所述襯底中的污染物。

10.如權利要求9所述的背照式圖像傳感器，其中所述吸雜區(qū)域包括摻雜雜質的多晶硅。

11.如權利要求9所述的背照式圖像傳感器，其中所述隔離區(qū)域設置在所述襯底的前側表面部分中，并且所述吸雜區(qū)域延伸到所述襯底的背側表面。