[實用新型]一種通用功率MOSFET器件

有效

• 申請號: 201821142427.5
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN208315534U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發明（設計）人: 陳利;陳譯;陳劍;姜帆;張軍亮
• 申請（專利權）人: 廈門芯一代集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/055
• 分類號: H01L23/055;H01L23/10
• 代理公司: 北京科家知識產權代理事務所(普通合伙) 11427
• 代理人: 陳娟

1.一種通用功率MOSFET器件，包括器件主體(5)、器件主體(5)底端的固定機構和器件主體(5)一側的連接機構，其特征在于：所述固定機構包括底座(3)和外殼(1)，所述器件主體(5)的底端設置有底座(3)，所述底座(3)的頂端設置有外殼(1)，所述底座(3)的頂端表面設置有固定冒檐(10)，所述固定冒檐(10)的底端相對于底座(3)的頂端設置有滑軌(11)，所述外殼(1)的底端相對于滑軌(11)的位置處設置有滑柱(12)，所述外殼(1)的一側設置有磁鐵(14)，所述底座(3)的一側相對于磁鐵(14)的位置處設置有固定卡槽(13)，所述底座(3)的另一側設置有連接柱(15)，所述連接柱(15)的兩側內部設置有固定彈簧(19)，所述底座(3)的兩側相對于固定彈簧(19)的位置處設置有固定槽(18)，所述固定槽(18)的一側設置有按壓塊(17)。

2.根據權利要求1所述的一種通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述連接機構包括固定柱(6)和固定管(16)，所述器件主體(5)的一側設置有固定柱(6)，所述固定柱(6)的一側設置有固定管(16)，所述固定柱(6)的一側相對于按壓塊(17)的內部設置有固定塊(20)，所述按壓塊(17)的一側內壁設置有內螺紋。

3.根據權利要求1所述的一種通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外殼(1)的一側設置有固定孔(2)，所述外殼(1)的另一側表面設置有連接孔(9)，且連接孔(9)貫穿外殼(1)的一側表面。

4.根據權利要求1所述的一種通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外殼(1)的兩側設置有限位孔(4)，且限位孔(4)貫穿外殼(1)的整體。

5.根據權利要求1所述的一種通用功率MOSFET器件，其特征在于：所述外殼(1)的一側設置有連接卡座(8)，所述連接卡座(8)的一側設置有連接塊(7)。