[實用新型]一種位線電壓的控制電路及Nand Flash

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821132390.8
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN208637142U
• 公開（公告）日: 2019-03-22
• 發(fā)明（設計）人: 馬思博;陳俊;舒清明
• 申請（專利權）人: 西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司;合肥格易集成電路有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/24
• 分類號: G11C16/24;G11C16/30
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本實用新型提供一種位線電壓控制電路和Nand Flash，電路包括第一至第三開關管；第二電源；第一開關模塊，第一端與第二開關管或地相連，當?shù)谝欢伺c第二開關管相連時，第二端與第一開關管和第三開關管相連，當?shù)谝欢伺c地相連時第二端與第二開關管相連，控制端接收第一數(shù)據(jù)信號為高電平時，第一開關模塊導通；第二開關模塊，第一端與第二電源相連，控制端接收第二數(shù)據(jù)信號為高電平時第二開關模塊導通；第三開關模塊，第一端與第二開關模塊的第二端相連，控制端接收第三數(shù)據(jù)信號，第二端分別與第一開關管和第三開關管相連；當?shù)谌龜?shù)據(jù)信號為高電平時第三開關模塊導通。本實用新型提高了慢編程時對位線電壓的控制精度，縮短了慢編程時間。

技術領域

本實用新型涉及存儲技術領域，特別是涉及一種位線電壓控制電路和一種NandFlash。

背景技術

Nand Flash(閃存)是一種非易失存儲器，Nand Flash具有改寫速度快，存儲容量大等優(yōu)點，被廣泛應用到電子產(chǎn)品中。隨著Nand Flash的大量使用，對Nand Flash的編程性能要求也在不斷提高。

如圖1所示，在對Nand Flash進行編程時，隨著program(編程)pulse (脈沖)的進行，越來越多的電子被注入cell(存儲單元)的FG(Floating Gate，浮柵)，F(xiàn)G的電勢VFG會逐漸變低。因此，在program結束或program成功前，必須繼續(xù)提升program電壓VPGM，以保持FG的電勢VFG與溝道電勢Vchannel之差即VFG-Vchannel足夠大，以寫入更多的電子到相應cell的 FG里。由于兩個program pulse之間的program電壓差DVPGM與最終編程后cell的閾值分布寬度成正相關關系，為了減小最終編程后cell的閾值分布寬度，可以將需要進行快編程cell的VFG-Vchannel降低，以實現(xiàn)在沒有損失編程性能的同時，減小DVPGM，從而減小最終編程后cell的閾值分布寬度。

現(xiàn)有技術通過圖2所示的位線電壓控制電路來減小VFG-Vchannel。由于對cell進行program還是inhibit(屏蔽)是由cell對應BL的電壓大小決定的，現(xiàn)有技術通過圖2所示的位線電壓控制電路控制BL_clamp電壓 V_BL_clamp’，來實現(xiàn)減小慢編程時位線對應cell的VFG-Vchannel，此時 Vchannel可以為慢編程時位線電壓V_BL_Slow_Program’。

但是，圖2所示的位線電壓控制電路還存在以下缺陷：

第一，由于位線是較大的容性負載，圖2所示的位線電壓控制電路控制精度受被選中位線的周圍環(huán)境影響較大，充電速度也差異較大，很難實現(xiàn)對慢編程時位線電壓的精確控制。

第二，位線電壓用于區(qū)分3種狀態(tài)(編程狀態(tài)、慢編程狀態(tài)和屏蔽狀態(tài))，而圖2所示的位線電壓控制電路中直接控制位線電壓的電路只有一個控制信號Data_B’，如圖3所示，圖2需要分兩個階段(即T1’階段和T2’階段)來控制慢編程時BL電壓V_BL_Slow_Program’，慢編程耗時長。

實用新型內容

鑒于上述問題，本實用新型實施例的目的在于提供一種位線電壓控制電路和一種Nand Flash，以解決現(xiàn)有技術中的位線電壓控制電路慢編程時位線電壓控制精度低，耗時長的問題。