[實用新型]一種紅外線接收電路有效
| 申請號: | 201821125526.2 | 申請日: | 2018-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN208675243U | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 朱吉涵;莫冰;蘇奎任;郭建平 | 申請(專利權)人: | 思力科(深圳)電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H04B10/40 | 分類號: | H04B10/40 |
| 代理公司: | 廣東廣和律師事務所 44298 | 代理人: | 陳巍巍 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅外接收芯片 隔離結構 襯底 芯片輸入端口 紅外線接收電路 帶通濾波器 紅外線感應 輸入端連接 二極管 外延層 氧化層 紅外線信號接收 本實用新型 電容耦合 寄生電容 金屬走線 區域添加 靈敏度 元器件 電子產品 打斷 | ||
1.一種紅外線接收電路,其特征在于,包括:紅外線感應二極管和紅外接收芯片,所述紅外線感應二極管與紅外接收芯片的輸入端連接,所述紅外接收芯片上設置有襯底隔離結構,所述襯底隔離結構的一端與紅外接收芯片的輸入端連接,所述襯底隔離結構的另一端與所述紅外接收芯片的氧化層和外延層連接,以消除所述氧化層和外延層與所述紅外接收芯片上元器件產生的寄生電容。
2.根據權利要求1所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述紅外接收芯片上還設置有:電流/電壓轉換器、預放大器、增益可變放大器、帶通濾波器、比較器、積分器、施密特觸發器、電阻、MOS管和自動增益控制器,其中,電流/電壓轉換器的一端與紅外接收芯片的輸入端連接,電流/電壓轉換器的另一端與預放大器的輸入端及所述襯底隔離結構的一端連接,預放大器與增益可變放大器、帶通濾波器、比較器、積分器及施密特觸發器依次串聯,帶通濾波器的輸出端與比較器的輸入端及所述襯底隔離結構連接,比較器的輸出端與自動增益控制器的輸入端連接,自動增益控制器的輸出端與增益可變放大器連接;所述施密特觸發器的輸出端與MOS管的柵極連接,MOS管的源極接地,MOS管的漏極與電阻的一端及紅外接收芯片的輸出端連接,電阻的另一端與紅外接收芯片的電源端VDD連接。
3.根據權利要求2所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述紅外線感應二極管接收紅外線載波信號并將其轉換為電流信號。
4.根據權利要求3所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述電流/電壓轉換器接收所述電流信號并轉換為電壓信號。
5.根據權利要求2所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述MOS管為NMOS管。
6.根據權利要求1所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述襯底隔離結構包括:金屬層走線結構,所述金屬層走線結構位于所述氧化層,所述金屬層走線結構與所述紅外接收芯片的輸入端連接。
7.根據權利要求6所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述金屬層走線結構還與金屬焊盤、電流/電壓轉換電路、預先放大器電路、靜電保護電路及接地線連接。
8.根據權利要求1所述的一種紅外線接收電路,其特征在于,所述襯底隔離結構包括:位于所述氧化層與外延層之間的底層金屬或多晶硅層。
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