[實用新型]一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體

有效

• 申請號: 201821123735.3
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN208532927U
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 武良文
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，包括反應室（1）、進氣裝置（2）、晶圓片（3）、托盤（4）、加熱裝置（5）、排氣裝置（6）；其特征在于：所述反應室（1）為具有側壁的密閉腔，所述反應室（1）頂部設置有進氣裝置（2），所述進氣裝置（2）包含有氣體進氣道和下底面，反應氣體和載氣由進氣道進入所述反應室（1）中，反應室（1）內設置有托盤（4），托盤（4） 的中心區域直接由轉軸（7）支撐，托盤（4）上有放置晶圓片（3）的凹槽，晶圓片（3）放置于凹槽中，托盤（4）下方設置有加熱裝置（5），用于加熱晶圓片（3）達到所需溫度，所述反應室（1）側壁表面和所述進氣裝置（2）表面鍍有高反射膜或作表面拋光處理，以將底部加熱裝置（5）加熱的熱輻射反射回托盤（4）和晶圓片（3）表面。

2.根據權利要求1所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述高反射膜可以是且不僅限于金屬鍍膜、無機鍍膜或復合材料鍍膜等的一種或多種組合。

3.根據權利要求1或2所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述高反射膜為金屬Ag薄層，所述高反射膜的鍍膜方式為真空熱蒸發沉積，所述高反射膜厚度為100-2000nm。

4.根據權利要求1所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述表面拋光處理可以是部分表面或全部表面拋光的工藝處理，所述表面拋光處理采用物理或化學拋光方式。

5.根據權利要求1或4所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述反應室（1）側壁表面和所述進氣裝置（2）表面經過拋光處理后的表面粗糙度介于0.01um-1um之間。

6.根據權利要求1所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述進氣裝置（2）的進氣道可以是圓孔狀、三角型孔狀等任意多邊型孔狀，或者是長條槽狀、異型槽狀等任意開口形式。

7.根據權利要求1所述的一種防止晶圓片襯底翹曲的反應腔體，其特征在于：所述進氣裝置（2）表面可以是且不僅限于進氣裝置（2）下底面、進氣道之孔或槽的內外表面等暴露在氣體中或與其他部件的連接界面。