[實用新型]一種鍍膜系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821116044.0 | 申請日: | 2018-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN208649462U | 公開(公告)日: | 2019-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬崢;張風港;張津燕 | 申請(專利權(quán))人: | 君泰創(chuàng)新(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/54 | 分類號: | C23C16/54;C23C16/46;C23C16/40 |
| 代理公司: | 北京華夏泰和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德棟 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)亦*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍膜系統(tǒng) 基板 膜層 調(diào)溫腔 工藝腔 制備 申請 空氣接觸氧化 薄膜太陽能 調(diào)整基板 多層膜層 復合膜層 生產(chǎn)技術(shù) 生產(chǎn)效率 外界大氣 溫度調(diào)整 對基板 反應腔 產(chǎn)能 時基 取出 暴露 | ||
本申請涉及薄膜太陽能生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鍍膜系統(tǒng)。本申請?zhí)峁┑腻兡は到y(tǒng),能夠支持對基板鍍多個不同種類的膜層,以得到性能更好的具有復合膜層的基板;與現(xiàn)有的鍍膜系統(tǒng)相比,本申請?zhí)峁┑腻兡は到y(tǒng)在基板上制備多層膜層時基板不用從系統(tǒng)內(nèi)取出,因此不會與外界大氣接觸破除真空并暴露大氣,能夠避免因膜層與空氣接觸氧化,導致膜層內(nèi)產(chǎn)生雜質(zhì)的問題發(fā)生,基板上的膜層質(zhì)量更好;并且相鄰兩個工藝腔之間設(shè)有一個調(diào)溫腔,通過調(diào)溫腔調(diào)整基板的溫度,使基板的溫度滿足下一個工藝腔制備溫度的需求,減少了進入下一個反應腔中的溫度調(diào)整時間,大大的提高了生產(chǎn)效率、提高產(chǎn)能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及薄膜太陽能生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鍍膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)
目前市場上對薄膜太陽能電池的需求正逐漸增長,制造薄膜太陽能電池的技術(shù)更成為近年來的研究熱點,LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition-低氣壓化學氣相沉積)作為薄膜天陽能電池膜層的主要形成方法,被廣泛應用在薄膜太陽能電池生產(chǎn)領(lǐng)域;現(xiàn)有的公開了一種LPCVD系統(tǒng),設(shè)有用于放置若干片基板的傳輸墊板,通過傳輸墊板將加熱板的熱量傳輸至需要鍍膜的基片;系統(tǒng)中還設(shè)有反應腔,用于對基片進行鍍膜,比如ZnO(氧化鋅)膜。由于各個膜層所需的制造溫度不同,現(xiàn)有的LPCVD系統(tǒng)一次只能制備一個膜層,造成工藝不夠靈活。
實用新型內(nèi)容
(一)本申請所要解決的技術(shù)問題是:現(xiàn)有LPCVD系統(tǒng)一次只能生產(chǎn)一種膜層,導致連續(xù)生產(chǎn)的節(jié)拍控制及生產(chǎn)效率低。
(二)技術(shù)方案
為了解決上述技術(shù)問題,本申請實施例提供了一種鍍膜系統(tǒng),所述鍍膜系統(tǒng)包括:傳輸裝置、多個工藝腔和相鄰兩個所述工藝腔之間設(shè)有的調(diào)溫腔;
其中,所述傳輸裝置配置為將基板運輸至所述工藝腔和所述調(diào)溫腔內(nèi);每個所述工藝腔配置為通入各自對應的工藝氣體以對所述基板進行鍍膜;
所述調(diào)溫腔配置為將鍍膜后的基板調(diào)溫至下一個工藝腔對應的指定溫度。
有益效果:本申請實施例提供的鍍膜系統(tǒng),能夠支持在基板上形成多個不同種類的膜層,以得到性能更好的具有復合膜層的基板;與現(xiàn)有的鍍膜系統(tǒng)相比,本申請實施例提供的鍍膜系統(tǒng)在基板上制備多層膜層時基板不用從系統(tǒng)內(nèi)取出,因此不會與外界大氣接觸破除真空并暴露大氣,能夠避免因膜層與空氣接觸氧化,導致膜層內(nèi)產(chǎn)生雜質(zhì)的問題發(fā)生,基板上的膜層質(zhì)量更好;并且相鄰兩個工藝腔之間設(shè)有一個調(diào)溫腔,通過調(diào)溫腔調(diào)整基板的溫度,使基板的溫度滿足下一個工藝腔制備溫度的需求,減少了進入下一個反應腔中的溫度調(diào)整時間,大大的提高了生產(chǎn)效率、提高產(chǎn)能。
進一步地,所述調(diào)溫腔為加熱腔或第一冷卻腔。
進一步地,所述加熱腔內(nèi)設(shè)有第一勻熱板和第一搬運裝置,所述第一搬運裝置用于將所述傳輸裝置上的工件搬運到所述第一勻熱板上,或?qū)⑺龅谝粍驘岚迳系墓ぜ徇\到所述傳輸裝置上。
進一步地,所述第一搬運裝置包括第一頂針機構(gòu)和第一驅(qū)動機構(gòu),所述第一勻熱板安裝在所述加熱腔的下部,所述第一頂針機構(gòu)包括第一安裝架和豎直安裝在所述第一安裝架上的多個第一頂針本體,多個所述第一頂針本體由下至上穿過所述第一勻熱板;
所述第一驅(qū)動機構(gòu)與所述第一安裝架相連,以帶動所述第一安裝架上下移動;
位于所述加熱腔內(nèi)的傳輸裝置設(shè)置在所述第一勻熱板的上側(cè)。
進一步地,所述第一冷卻腔內(nèi)設(shè)有第二勻熱板和第二搬運裝置,所述第二搬運裝置用于將所述傳輸裝置上的工件搬運到所述第二勻熱板上,或?qū)⑺龅诙驘岚迳系墓ぜ徇\到所述傳輸裝置上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





