[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821107436.0
• 申請(qǐng)日: 2018-07-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208622733U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倪賢鋒;范謙;何偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：襯底、設(shè)置于所述襯底上的多個(gè)氮化鎵緩沖層和多個(gè)介質(zhì)層，以及位于所述氮化鎵緩沖層上的鋁鎵氮?jiǎng)輭緦樱鼋橘|(zhì)層位于所述氮化鎵緩沖層之間的間隙，所述間隙將所述鋁鎵氮?jiǎng)輭緦臃指簟?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述間隙寬度為1um-500um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層為SiOx介質(zhì)層或者是SiNx介質(zhì)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底包括多個(gè)不連續(xù)的外延區(qū)域和外延區(qū)域之間的間隙區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外延區(qū)域?yàn)榫匦巍?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述矩形的長(zhǎng)為1um-100um，寬為1um-100um。