[實用新型]半導體結構有效
| 申請號： | 201821107436.0 | 申請日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN208622733U | 公開（公告）日： | 2019-03-19 |
| 發明（設計）人： | 倪賢鋒;范謙;何偉 | 申請（專利權）人： | 蘇州漢驊半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化鎵緩沖層 鋁鎵氮勢壘層 半導體結構 襯底 介質層 分隔 鋁鎵氮薄膜 獨立區域 鋁組份 微裂紋 小區域 良率 申請 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：襯底、設置于所述襯底上的多個氮化鎵緩沖層和多個介質層，以及位于所述氮化鎵緩沖層上的鋁鎵氮勢壘層，所述介質層位于所述氮化鎵緩沖層之間的間隙，所述間隙將所述鋁鎵氮勢壘層分隔。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述間隙寬度為1um-500um。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述介質層為SiOx介質層或者是SiNx介質層。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底包括多個不連續的外延區域和外延區域之間的間隙區域。
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，所述外延區域為矩形。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述矩形的長為1um-100um，寬為1um-100um。
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