[實用新型]一種POWER封裝防氧化冷卻系統有效
| 申請號: | 201821097420.6 | 申請日: | 2018-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN208478301U | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發明(設計)人: | 袁宏承 | 申請(專利權)人: | 無錫市宏湖微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 王曄 |
| 地址: | 214000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導軌 冷卻系統 防氧化 封裝 冷卻介質槽 上蓋板 本實用新型 保護氣體 導軌末端 冷卻出口 冷卻風扇 冷卻進口 應力問題 逐步冷卻 腰型孔 上端 急冷 背面 背后 保證 | ||
1.一種POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:包括導軌(1),所述導軌(1)上設置便于產品經過的凹槽(11),到導軌(1)上端罩上蓋板(2),通過上蓋板(2)封住凹槽(11)上側,并在凹槽(11)內通入保護氣體,所述導軌(1)末端背面還安裝冷卻風扇(3),所述導軌(1)內部還開設冷卻介質槽(4),所述冷卻介質槽(4)上開設冷卻進口(41)和冷卻出口(42),所述導軌(1)背后還開設安裝腰型孔(12)。
2.根據權利要求1所述的POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:所述冷卻介質槽(4)包括交錯的橫向介質槽(43)和縱向介質槽(44),所述冷卻進口(41)和冷卻出口(42)與橫向介質槽(43)連通,所述橫向介質槽(43)和縱向介質槽(44)兩端通過堵頭(45)封堵。
3.根據權利要求1或2所述的POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:所述冷卻介質槽(4)內的冷卻介質為冷卻液或冷卻氣體。
4.根據權利要求1所述的POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:所述導軌(1)背面開設螺絲孔(13),所述冷卻風扇(3)通過連接螺絲固定在導軌(1)背面。
5.根據權利要求1所述的POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:所述導軌(1)的凹槽(11)末端設置出料倒角(14)。
6.根據權利要求1所述的POWER封裝防氧化冷卻系統,其特征在于:所述導軌(1)一側還設置安裝傳感器的傳感器固定孔(15)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





