[實用新型]InSb薄膜轉移裝置有效
| 申請號: | 201821096124.4 | 申請日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN208596663U | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發明(設計)人: | 陳意橋;馬棟梁 | 申請(專利權)人: | 蘇州焜原光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311 | 代理人: | 盛建德 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜轉移 薄膜轉移裝置 傳送桿 伸縮壓力 伸縮桿 反轉 進樣 石英 壓塊 載臺 生產周期 本實用新型 電子元器件 驅動 反轉驅動 環境破壞 生產過程 壓力滾輪 依次連接 重新建立 隔離閥 關閉腔 吸附臺 氣缸 腔體 伸入 下壓 電機 室內 | ||
1.一種InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:包括依次連接的進樣反轉室、薄膜轉移室以及伸縮壓力裝置;所述薄膜轉移室內設有光學載臺、位于所述光學載臺之上的石英壓塊和驅動所述石英壓塊下壓的第一氣缸;所述進樣反轉室包括能夠伸入所述薄膜轉移室的傳送桿、驅動所述傳送桿的反轉驅動電機、位于所述傳送桿的內側末端的受體吸附臺以及可往所述薄膜轉移室開啟的隔離閥,所述受體吸附臺用來將受體送上光學載臺;所述伸縮壓力裝置包括水平的伸縮桿以及設于所述伸縮桿的末端的壓力滾輪,所述壓力滾輪用來將薄膜在受體上抹平。
2.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述進樣反轉室上設有第一抽真空口。
3.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述薄膜轉移室上設有第二抽真空口。
4.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述薄膜轉移室內設有用來調整所述光學載臺高度的第二氣缸。
5.根據權利要求4所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述第一氣缸和第二氣缸上均設有壓力傳感器。
6.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述石英壓塊通過連接關節設置于第一氣缸的主軸上。
7.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述伸縮桿上設有用來調節所述壓力滾輪高度的第三氣缸。
8.根據權利要求1所述的InSb薄膜轉移裝置,其特征在于:所述光學載臺內設有S型回轉的加熱絲以及位于所述光學載臺中央的熱電偶。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州焜原光電有限公司,未經蘇州焜原光電有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821096124.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種光分路器的晶圓貼片裝置
- 下一篇:一種晶圓片溫控測試載臺
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





