[實(shí)用新型]電子芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821096026.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-07-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208580743U | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | F·朱利恩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 意法半導(dǎo)體(魯塞)公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/12 | 分類號(hào)： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 王茂華;崔卿虎 |
| 地址： | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 晶體管 柵極絕緣體 絕緣層 半導(dǎo)體 半導(dǎo)體層 電子芯片 絕緣層形成 絕緣體上硅 邊緣處 中央處 | ||
1.一種電子芯片，其特征在于，包括：
絕緣體上硅晶體管，至少部分地形成在半導(dǎo)體層中，所述半導(dǎo)體層形成在絕緣層上，所述絕緣層形成在半導(dǎo)體襯底上；
第一體襯底晶體管，至少部分地形成在所述半導(dǎo)體襯底中；以及
第二體襯底晶體管，至少部分地形成在所述半導(dǎo)體襯底中，所述第二體襯底晶體管包括柵極絕緣體，所述柵極絕緣體具有包括所述絕緣層的部分的邊緣，所述第二體襯底晶體管的所述柵極絕緣體在所述邊緣處比在所述第二體襯底晶體管的所述柵極絕緣體的中央處更厚，其中所述第一體襯底晶體管具有沒有所述絕緣層的部分的柵極絕緣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子芯片，其特征在于，所述第一體襯底晶體管是P溝道晶體管，并且所述第二體襯底晶體管是N溝道晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子芯片，其特征在于，所述第二體襯底晶體管的所述柵極絕緣體包括位于所述半導(dǎo)體襯底上的電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子芯片，其特征在于，所述絕緣層的被包括在所述邊緣中的所述部分包括：在所述電介質(zhì)層的底部表面上方的頂部表面和在所述電介質(zhì)層的所述底部表面下方的底部表面。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
