[實(shí)用新型]一種p型背接觸太陽(yáng)電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821095730.4 | 申請(qǐng)日： | 2018-07-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208538869U | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李華;魯偉明;李中蘭;靳玉鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 泰州隆基樂(lè)葉光伏科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0224 | 分類號(hào)： | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 張弘 |
| 地址： | 225300 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 垂直區(qū)域 貫穿 膜層 本實(shí)用新型 背面鈍化 交錯(cuò)排列 背接觸 隧穿層 垂直 背面鈍化膜 電池電極 電池組件 工藝難度 減反射膜 區(qū)域方向 指狀交叉 基底背 鈍化 基底 平行 電池 表現(xiàn) | ||
1.一種p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，自上而下依次包括：正面鈍化及減反射膜(2)、p型硅基底(1)、背面鈍化隧穿層(11)、n型摻雜膜層(3)、背面鈍化膜(5)和電池電極；所述的n型摻雜膜層(3)局域分布在背面鈍化隧穿層(11)上；
所述n型摻雜膜層(3)和p型硅基底(1)背面的p型區(qū)域(4)呈指狀交叉形式交錯(cuò)排列，其中n型摻雜膜層(3)包括n型貫穿區(qū)域(301)和n型垂直區(qū)域(302)，所述p型區(qū)域(4)包括p型貫穿區(qū)域(401)和p型垂直區(qū)域(402)；n型貫穿區(qū)域(301)和p型貫穿區(qū)域(401)相互平行；所述n型垂直區(qū)域(302)和n型貫穿區(qū)域(301)相互垂直并連接；所述p型垂直區(qū)域(402)和p型貫穿區(qū)域(401)相互垂直并連接；在n型貫穿區(qū)域(301)方向上，所述n型垂直區(qū)域(302)和p型垂直區(qū)域(402)交錯(cuò)排列；
所述的電池電極包括正極和負(fù)極，所述正極包括正極細(xì)柵線(7)和正極連接電極(9)，所述負(fù)極包括負(fù)極細(xì)柵線(8)和負(fù)極連接電極(10)；
負(fù)極細(xì)柵線(8)與n型摻雜區(qū)域的n型垂直區(qū)域(302)形成接觸；正極細(xì)柵線(7)與p型區(qū)域(4)的p型垂直區(qū)域(402)形成接觸；負(fù)極連接電極(10)設(shè)置在n型貫穿區(qū)域(301)內(nèi)；正極連接電極(9)設(shè)置在p型貫穿區(qū)域(401)內(nèi)；正極細(xì)柵線(7)與正極連接電極(9)連接，并通過(guò)正極連接電極(9)導(dǎo)出電流，負(fù)極細(xì)柵線(8)與負(fù)極連接電極(10)連接，并通過(guò)負(fù)極連接電極導(dǎo)出電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述n型摻雜膜層(3)由多晶硅、非晶硅、微晶硅中的一種或多種組成，并摻雜有V族元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述背面鈍化隧穿層(11)為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅和非晶硅中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述n型垂直區(qū)域(302)的寬度為0.08～3mm，所述p型垂直區(qū)域(402)的寬度為0.05～1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述正面鈍化及減反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成；所述背面鈍化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、碳化硅、非晶硅中的一種或多種組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述的正極細(xì)柵線(7)和p型硅基底(1)的局部接觸區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有一層摻雜成分為III族元素的空穴摻雜層(12)，空穴摻雜層(12)的厚度為1～15um。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述的空穴摻雜層(12)和正極細(xì)柵線(7)之間還設(shè)置有一層鋁硅合金層(13)，鋁硅合金層(13)厚度為1～5um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述正極細(xì)柵線(7)為含鋁的電極，極細(xì)柵線(7)的寬度為20um～200um。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述負(fù)極細(xì)柵線(8)為含銀的電極，負(fù)極細(xì)柵線(8)的寬度為10um～100um。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的p型背接觸太陽(yáng)電池，其特征在于，所述正極連接電極(9)包含銀、銅、鋁、鎳中的一種或多種；所述負(fù)極連接電極(10)包含銀、銅、鋁、鎳中的一種或多種。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
