[實用新型]一種基于正交光柵結構的單縱橫模激光器

有效

• 申請號: 201821090553.0
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN208580950U
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 林琦;林中晞;陳景源;朱振國;鐘杏麗;蘇輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所;中國科學院大學
• 主分類號: H01S5/12
• 分類號: H01S5/12;H01S5/343
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 張祖萍

1.一種基于正交光柵結構的單縱橫模激光器，其特征在于，包括：上包層、上波導層、下波導層和下包層；其中，下包層、下波導層、上波導層和上包層從下往上設置；

所述下波導層或者下包層內具有周期分布的第一光柵，所述上波導層或者上包層內具有周期分布的第二光柵，所述第二光柵與所述第一光柵具有相互正交的排布方式。

2.根據權利要求1所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述第一光柵的光柵周期分布方向或所述第二光柵的光柵周期分布方向沿諧振腔方向，所述光柵周期分布方向垂直于諧振腔方向的光柵用于選擇橫模；相應地，所述第二光柵的光柵周期分布方向或者所述第一光柵的光柵周期分布方向垂直于諧振腔方向，所述光柵周期分布方向沿諧振腔方向的光柵用于選擇縱模。

3.根據權利要求2所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述光柵周期分布方向沿諧振腔方向的光柵為多段DFB強折射率光柵。

4.根據權利要求2所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述光柵周期分布方向沿諧振腔方向的光柵為單段DFB強折射率光柵。

5.根據權利要求2所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述基于正交光柵結構的單縱橫模激光器的脊條寬度為1.5～8um，長度為0.5～2mm。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述第一光柵為折射率光柵或者吸收折射率復合光柵或者吸收增益光柵，所述第二光柵為折射率光柵或者吸收折射率復合光柵或者吸收增益光柵。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述單縱橫模激光器還包括有源區，所述有源區位于下波導層和上波導層之間。

8.根據權利要求7所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述有源區具有壓縮應變量子阱和拉伸應變量子壘交替混合的多層量子阱結構。

9.根據權利要求8所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述壓縮應變量子阱的單層厚度為5～7.5nm，所述拉伸應變量子壘的單層厚度為5～10nm。

10.根據權利要求2至5中任一項所述的單縱橫模激光器，其特征在于，所述單縱橫模激光器還包括襯底、緩沖層和吸收層；襯底位于緩沖層下側，緩沖層位于下包層下側；

所述吸收層位于上包層和上波導層之間，或者位于下包層和下波導層之間，或者位于上波導層內，或者位于下波導層內；

當所述吸收層位于上波導層內或者位于下波導層內時，所述光柵周期分布方向沿諧振腔方向的光柵位于吸收層中。