[實用新型]一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821088833.8 | 申請日： | 2018-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN208637450U | 公開（公告）日： | 2019-03-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 武良文 | 申請（專利權(quán)）人： | 江西兆馳半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超晶格層 紫外發(fā)光二極管芯片 本實用新型 外延結(jié)構(gòu) 襯底 空穴 電子阻擋層 二維電子氣 周期性交替 傳輸通道 低電導率 高電導率 橫向分割 傳統(tǒng)的 導電層 發(fā)光層 非摻雜 帶隙 單層 導電 堆疊 | ||
1.一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)，包括襯底(101)以及位于襯底(101)上的AlN緩沖層(102)、非摻雜AlN層(103)、超晶格層(104)、MQW發(fā)光層(105)、電子阻擋層(106)、空穴導電層(107)；其特征在于：所述超晶格層(104)為nAlxGa1-xN層(1041)和AlyGa1-yN層(1042)周期性交替堆疊形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述超晶格層(104)的厚度介于1000-3000nm之間，周期數(shù)介于50-150之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述nAlxGa1-xN層(1041)與所述AlyGa1-yN層(1042)的厚度之比介于1：1～4：1之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述nAlxGa1-xN層(1041)中Al組分濃度x介于30％-60％之間，所述AlyGa1-yN層(1042)中Al組分濃度y介于30％-70％之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紫外發(fā)光二極管芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底(101)可以是藍寶石襯底、硅襯底、氮化硅襯底、氮化鋁襯底、氮化鎵襯底中的任意一種。
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