[實用新型]一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構

有效

• 申請號: 201821088019.6
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN208738288U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 寧如光;林曉珊;徐培強;劉芬;吳春壽;楊琪;熊歡
• 申請（專利權）人: 南昌凱迅光電有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30
• 代理公司: 南昌大牛專利代理事務所(普通合伙) 36135
• 代理人: 喻莎

1.一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，包括GaAs襯底(100)，其特征在于：所述GaAs襯底(100)上依次設有緩沖層(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射層(102)、n-AlInP限制層(103)、n-AlGaInP波導層(104)、不對稱諧振隧道(105)、非摻AlInP限制層Ⅰ(106)、MQW有源層(107)、非摻AlInP限制層Ⅱ(108)、p-AlGaInP波導層(109)、p-AlInP限制層(110)和p-GaP電流擴展層(111)，所述不對稱諧振隧道(105)材料為(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P。

2.根據權利要求1所述的一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，其特征在于：所述緩沖層(101)厚度為0.5μm，緩沖層(101)摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射層(102)厚度為1.6μm，AlGaAs/AlAs(DBR)反射層(102)摻雜濃度為2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlInP限制層(103)厚度為0.5μm，n-AlInP限制層(103)摻雜濃度為2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlGaInP波導層(104)厚度為0.1μm，n-AlGaInP波導層(104)摻雜濃度為3×10¹⁷cm^-3。

3.根據權利要求1所述的一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，其特征在于：所述不對稱諧振隧道(105)厚度為0.1μm，所述非摻AlInP限制層Ⅰ(106)厚度為10nm，所述非摻AlInP限制層Ⅱ(108)厚度為10nm。

4.根據權利要求1所述的一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，其特征在于：所述MQW有源層(107)包括30層量子阱(107-1)和30層量子壘(107-2)，量子壘(107-2)的材料為(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5P，量子阱(107-1)的材料為(Al0.34Ga0.66)0.5In0.5P。

5.根據權利要求1或4所述的一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，其特征在于：所述MQW有源層(107)厚度為600nm，每一層量子阱(107-1)和量子壘(107-2)的厚度均為10nm。

6.根據權利要求1所述的一種提高黃綠光LED內量子效率的外延結構，其特征在于：所述p-AlGaInP波導層(109)厚度0.1μm，p-AlGaInP波導層(109)摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3，所述p-AlInP限制層(110)厚度為0.8μm，p-AlInP限制層(110)摻雜濃度為6×10¹⁷cm^-3，所述p-GaP電流擴展層(111)厚度為5μm，p-GaP電流擴展層(111)摻雜濃度大于1×10¹⁸cm^-3。