[實用新型]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201821087224.0
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN208297894U
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 栗鵬;李哲;李曉吉;范昊翔;朱維;辛蘭
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本實用新型公開一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，其中，陣列基板包括層疊設置在基底上的第一電極、絕緣層和第二電極，所述第一電極和所述第二電極其中之一為像素電極，另一為公共電極；所述第二電極包括多個位于所述絕緣層上的條狀子電極，相鄰兩個所述條狀子電極之間形成有狹縫，所述條狀子電極包括中間部分和兩端的拐角結構；所述拐角結構下方的絕緣層的厚度小于所述中間部分下方的絕緣層的厚度。該陣列基板減小了條狀子電極的拐角結構對應的第二電極與第一電極的間距，增強該位置的相鄰條狀子電極的電場的強度，提升該位置的透過率。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

高級超維場轉換(Advanced Super Dimension Switch，簡稱ADS)模式的顯示面板具有高透過率、寬視角、響應速度快和功耗低等優點，廣泛應用于液晶顯示裝置中。

現有技術的ADS模式的顯示面板具有相對設置的狹縫電極和板狀電極，在狹縫電極與板狀電極之間設置有第一絕緣層和第二絕緣層，其中狹縫電極包括多個橫向條狀子電極，多個橫向條狀子電極的兩端通過豎向子電極連城一體，為了防止trace mura，橫向條狀子電極的兩端設置有拐角，在ADS模式的顯示面板中，液晶分子通常平行于顯示面板方向排列，主要通過橫向條狀子電極間電場進行驅動，但是豎向子電極間差生的電場會抑制液晶分子轉動，從而影響該位置的透過率，同時，為了防止條狀子電極拐角處液晶驅動時排列不均，拐角處會設置成弧形過渡的拐角，該設計會進減弱拐角位置的橫向子電極間的電場強度，進一步降低了該位置的透過率，進而影響像素整體的透過率。

實用新型內容

本實用新型提供了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置，以解決現有技術中ADS模式顯示面板在狹縫電極邊緣拐角處透過率較低的問題。

第一方面，本實用新型提供一種陣列基板，包括

包括層疊設置在基底上的第一電極、絕緣層和第二電極，所述第一電極和所述第二電極其中之一為像素電極，另一為公共電極；

所述第二電極包括多個位于所述絕緣層上的條狀子電極，相鄰兩個所述條狀子電極之間形成有狹縫，所述條狀子電極包括中間部分和兩端的拐角結構；所述拐角結構下方的絕緣層的厚度小于所述中間部分下方的絕緣層的厚度。

可選地，所述絕緣層包括層疊設置的柵絕緣層和鈍化層，所述條狀子電極位于所述鈍化層上，所述拐角結構下方的鈍化層的厚度小于所述中間部分下方的鈍化層的厚度。

可選地，所述拐角結構下方的鈍化層的厚度為所述柵絕緣層的厚度為

可選地，所述中間部分下方的絕緣層包括柵絕緣層和鈍化層，所述鈍化層靠近所述第二電極設置；

所述拐角結構下方的絕緣層包括柵絕緣層。

可選地，相鄰兩個所述拐角結構之間區域的絕緣層的厚度與拐角結構下方的絕緣層的厚度一致。

可選地，所述第一電極為板狀電極或狹縫電極。

可選地，所述絕緣層的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。

第二方面，本實用新型提供了一種顯示面板，包括上述陣列基板。

第三方面，本實用新型提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

與現有技術相比，本實用新型實施例具有以下優點：