[實(shí)用新型]一種電容器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821086237.6
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN208352341U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L49/02
• 分類號(hào): H01L49/02
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 王珺;武晨燕

1.一種電容器，其特征在于，包括：

基底；

電極支撐結(jié)構(gòu)，形成于所述基底上，所述電極支撐結(jié)構(gòu)具有多個(gè)電容成型孔；

下電極層，構(gòu)成于所述電容成型孔的側(cè)壁以及底面；

電容介質(zhì)層，形成于所述下電極層的表面；

介質(zhì)表面修復(fù)層，位于所述電容介質(zhì)層的表面層，其中，所述介質(zhì)表面修復(fù)層的表面具有納米微晶結(jié)構(gòu)；以及

上電極，包括上電極層和上電極填充物，所述上電極層形成于在所述下電極層上的所述介質(zhì)表面修復(fù)層的表面，所述上電極填充物填充所述電容成型孔，且所述上電極層和所述上電極填充物均覆蓋所述電極支撐結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層包括氧化鋯層。

3.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層包括在氨氣退火處理中形成的多晶結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求3所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層的多晶結(jié)構(gòu)還包括四方晶相、立方晶相以及正交晶相的其中一種。

5.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述納米微晶結(jié)構(gòu)包括氮氧化鋯層。

6.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述介質(zhì)表面修復(fù)層的晶粒尺寸范圍介于2.5nm～3.0nm之間。

7.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層的表面進(jìn)行氨氣退火處理的退火溫度范圍介于330～550℃之間。

8.如權(quán)利要求7所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層的表面進(jìn)行所述氨氣退火處理的退火時(shí)間范圍介于30s～100s之間。

9.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述電容介質(zhì)層的厚度與所述介質(zhì)表面修復(fù)層的厚度的比值范圍介于10～20之間。

10.如權(quán)利要求1所述的電容器，其特征在于，所述上電極填充物包括第一多晶層及第二多晶層，所述第一多晶層形成于所述上電極層的表面，所述第一多晶層填充所述電容成型孔并覆蓋所述電極支撐結(jié)構(gòu)，所述第二多晶層形成于所述第一多晶層的表面。

11.如權(quán)利要求10所述的電容器，其特征在于，所述第一多晶層包括硼摻雜鍺化硅層，所述第二多晶層包括硼摻雜硅層。

12.如權(quán)利要求1-11任一所述的電容器，其特征在于，還包括：

形成于所述上電極填充物表面的金屬導(dǎo)電層以及形成于所述金屬導(dǎo)電層表面的氧化物絕緣層。