[實用新型]溝槽結構肖特基器件

有效

• 申請號: 201821082832.2
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN209249465U
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 黃彥智;陸佳順;楊潔雯
• 申請（專利權）人: 蘇州硅能半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/12
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡;王健

1.一種溝槽結構肖特基器件，該溝槽結構肖特基器件的有源區由若干個肖特基勢壘單胞（1）并聯構成；在截面上，每個肖特基勢壘單胞（1）包括硅片（2），位于所述硅片（2）背面的下金屬層（3），位于所述硅片（2）正面的上金屬層（4），所述硅片（2）下部與所述下金屬層（3）連接的區域為N類型重摻雜的單晶硅襯底（5），所述硅片（2）上部與上金屬層（4）連接的區域為N類型輕摻雜的單晶硅外延層（6），位于所述單晶硅外延層（6）上部并開口于所述單晶硅外延層（6）上表面的溝槽（7）；

其特征在于：所述溝槽（7）四壁均具有第一二氧化硅氧化層（8），一導電多晶硅體（9）嵌入所述溝槽（7）內，位于導電多晶硅體（9）中下部的多晶硅中下部（91）位于溝槽（7）內且與單晶硅外延層（6）之間設有所述第一二氧化硅氧化層（8），位于導電多晶硅體（9）上部的多晶硅上部（92）位于上金屬層（4）內，且多晶硅上部（92）四周與上金屬層（4）之間設有第二二氧化硅氧化層（10）；

位于柵溝槽底部的底部第一二氧化硅氧化層（81）厚度大于位于柵溝槽側壁的側部第一二氧化硅氧化層（82）厚度；所述單晶硅外延層（6）下部從上往下依次由中摻雜N類型分層（121）和低摻雜N類型分層（122）組成。

2.根據權利要求1所述的溝槽結構肖特基器件，其特征在于：所述導電多晶硅體（9）中多晶硅上部（92）與多晶硅中下部（91）的高度比為1：2~4。

3.根據權利要求1所述的溝槽結構肖特基器件，其特征在于：所述第一二氧化硅氧化層（81）與第一二氧化硅氧化層（82）厚度比為10：4~6。