[實用新型]一種用于吸附芯片的吸嘴有效
| 申請號： | 201821079539.0 | 申請日： | 2018-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN208796975U | 公開（公告）日： | 2019-04-26 |
| 發明（設計）人： | 汪旭 | 申請（專利權）人： | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 吸附 吸嘴 敏感區域 氣體通道 吸嘴本體 避空槽 敏感區 非敏感區域 抓取 均勻吸附 吸附表面 向內凹陷 應力分布 真空孔 槽口 掉片 隱裂 體內 覆蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，包括：吸嘴本體，在所述吸嘴本體內形成用于吸附芯片的氣體通道；在所述吸嘴本體的吸附端設有一個向內凹陷的避空槽；在進行吸附芯片時，所述避空槽的槽口至少覆蓋所述芯片的敏感區。
2.根據權利要求1所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述避空槽位于所述吸嘴本體吸附端的中心區域。
3.根據權利要求2所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述吸附端的端面尺寸與所述芯片被吸附面相同。
4.根據權利要求3所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述避空槽的槽口形狀與所述芯片的敏感區域形狀相同。
5.根據權利要求2所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述氣體通道包括：貫穿所述吸嘴本體上端的第一氣體通道及與所述第一氣體通道下方連通在所述吸嘴本體下端開口的多個第二氣體通道。
6.根據權利要求5所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述多個第二氣體通道均勻設置于所述避空槽周圍區域。
7.根據權利要求5所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述第一氣體通道及所述第二氣體通道都為圓柱形通道。
8.根據權利要求7所述的用于吸附芯片的吸嘴，其特征在于，所述多個第二氣體通道的直徑相同，且所述第一氣體通道的直徑比所述多個第二氣體通道的直徑大。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
