[實用新型]SOI基LSAMBM雪崩光電二極管

有效

• 申請號: 201821075444.1
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN208722891U
• 公開（公告）日: 2019-04-09
• 發明（設計）人: 謝海情;彭永達;肖海鵬;陳玉輝;李潔穎
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/107;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種SOI基LSAMBM雪崩光電二極管，其特征在于：包括SOI基片、SiO₂氧化層以及電極A、K，所述SiO₂氧化層設于SOI基片的表面，所述SOI基片包括依次層疊布置的P^-型襯底、SiO₂層和P^-型硅薄膜，所述P^-型硅薄膜的一側設有P⁺區，另一側設有依次相鄰布置的緩沖區、P倍增區以及N⁺區，所述P⁺區和緩沖區之間間隙中保留的P^-區構成吸收區，所述緩沖區包括摻雜濃度呈階梯分布的至少兩個緩沖區，所述電極A貫穿SiO₂氧化層后與N⁺區接觸導通，所述電極K貫穿SiO₂氧化層后與P⁺區接觸導通。

2.根據權利要求1所述的SOI基LSAMBM雪崩光電二極管，其特征在于：所述SOI基片的SiO₂層厚度為380nm。

3.根據權利要求1所述的SOI基LSAMBM雪崩光電二極管，其特征在于：所述SOI基片的P^-型襯底厚度為500nm。

4.根據權利要求1所述的SOI基LSAMBM雪崩光電二極管，其特征在于：所述P^-型硅薄膜的摻雜濃度為10¹⁵cm^-3。

5.根據權利要求1所述的SOI基LSAMBM雪崩光電二極管，其特征在于：所述P^-型硅薄膜的厚度為100nm～800nm。