[實用新型]實現PECVD氮化硅繞鍍控制的載具結構有效
| 申請號： | 201821069691.0 | 申請日： | 2018-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN208577782U | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發明（設計）人： | 董超;徐碩賢;金佳源;宋劍;陳景;張雙玉 | 申請（專利權）人： | 江蘇林洋光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/458 | 分類號： | C23C16/458;C23C16/513;C23C16/34;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人： | 劉暢;夏平 |
| 地址： | 226200 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 凸出裝置 氮化硅 載具 載具結構 本實用新型 硅片邊緣 固定的 硅片 抬起 限位 申請 | ||
【權利要求書】：
1.一種實現PECVD氮化硅繞鍍控制的載具結構，其特征在于所述載具(1)上設置多個凸出裝置(2)，所述凸出裝置(2)可以在載具(1)上升降和限位。
2.根據權利要求1所述的實現PECVD氮化硅繞鍍控制的載具結構，其特征在于所述凸出裝置(2)為螺釘結構，在螺釘的根部設置卡齒(2-3)，在載具(1)的凸出裝置固定處設置卡槽(1-3)，卡齒(2-3)和卡槽(1-3)匹配實現凸出裝置(2)在載具(1)上的降和限位。
3.根據權利要求1所述的實現PECVD氮化硅繞鍍控制的載具結構，其特征在于所述凸出裝置(2)為螺釘結構，在螺釘的根部設置外螺紋(2-4)，在載具(1)的凸出裝置固定處設置內螺紋(1-4)，外螺紋(2-4)和內螺紋(1-4)匹配實現凸出裝置(2)在載具(1)上的降和限位。
4.根據權利要求1～3任一項所述的實現PECVD氮化硅繞鍍控制的載具結構，其特征在于所述凸出裝置(2)設置3個，呈正三角形布置在載具(1)上。
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C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
