[實(shí)用新型]構(gòu)成為微線路的噴盤裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821068708.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209216926U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金鐘學(xué);湯澤民;王長(zhǎng)興 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞太星機(jī)械有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 劉健;黃韌敏 |
| 地址: | 523000 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 蝕刻 蝕刻液 基板 微線路 噴射 本實(shí)用新型 噴盤 去除 制備技術(shù)領(lǐng)域 廢氣去除 基板移送 氣體混合 間歇性 流體 吸入 廢氣 | ||
本實(shí)用新型適用于微線路制備技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種構(gòu)成為微線路的噴盤裝置,包括有為形成微線路向所有基板噴射蝕刻液并通過(guò)真空吸入去除積在所述基板上的所述蝕刻液的第一蝕刻結(jié)構(gòu)、向所述基板噴射包括蝕刻液和氣體混合的用二流體進(jìn)行蝕刻的第二蝕刻結(jié)構(gòu)、只在基板的邊緣噴射蝕刻液做部分蝕刻的第三蝕刻結(jié)構(gòu),根據(jù)所述基板移送情況向所述基板間歇性噴射蝕刻液的第四蝕刻結(jié)構(gòu)以及消除廢氣的廢氣去除模塊。借此,本實(shí)用新型能夠有效的去除基板上的蝕刻液使蝕刻的多個(gè)面形成比較均勻的蝕刻。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及微線路制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種構(gòu)成為微線路的噴盤裝置。
背景技術(shù)
一般蝕刻是把需要處理的素材,例如在印刷線路基板表面做必要的相關(guān)處理后剩余部分通過(guò)噴嘴噴射化學(xué)藥水(蝕刻液,stchant)形成所需要的結(jié)果;線路現(xiàn)象加工法廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體制造工程里。
根據(jù)這樣的蝕刻加工法制造的產(chǎn)品品質(zhì)是與蝕刻液及蝕刻裝置有關(guān)的。具體來(lái)講蝕刻液的種類,溫度,濃度等及蝕刻裝置里噴嘴現(xiàn)象,個(gè)數(shù),大小,間距,配置,素材移送速度等多種條件作為蝕刻品質(zhì)的變速。簡(jiǎn)單整理的話蝕刻的品質(zhì)關(guān)鍵是蝕刻液以什么樣的形態(tài)噴射在素材上。即通過(guò)噴嘴噴射的蝕刻液與素材直接接觸的(噴射蝕刻)和非直接接觸通過(guò)殘存的蝕刻液浸漬(dipping)在品質(zhì)上會(huì)有很大的差別。
一方面如上所述在蝕刻工程會(huì)發(fā)生水池效應(yīng),在這里水池效應(yīng)因在素材表面噴射的蝕刻液過(guò)度積累的現(xiàn)象引起不均勻蝕刻等導(dǎo)致與所期望不同的蝕刻,使產(chǎn)品品質(zhì)低下,這樣的水池效應(yīng)是在一般蝕刻裝置里根據(jù)噴嘴的數(shù)量,間隔或是排列等不僅有差異,而且會(huì)是必然發(fā)生的,需要研究可以有效去除的方案。
相關(guān)公司在持續(xù)開(kāi)發(fā)去除水池效應(yīng)的方法,有如下幾個(gè)技術(shù)被公開(kāi)化:
首先,如圖1所示,安裝在基板11上部的噴射噴嘴12和上述噴射噴嘴12鄰近的噴射噴嘴(圖紙未圖示)之間構(gòu)成安裝吸入裝置13,把噴射的蝕刻液排出至上述基板11的外側(cè)。殘存蝕刻液使用上述吸入裝置13來(lái)去除的蝕刻裝置10(以下稱作現(xiàn)有技術(shù)1)也被公布;并且如圖2所示以垂直豎立基板21移送的移送滾輪22和安裝在上述基板21前面和后面做搖擺動(dòng)作的噴嘴23及噴管24構(gòu)成,均勻噴射蝕刻液的同時(shí)把噴射的蝕刻液向下排出的蝕刻裝置20(以下稱作現(xiàn)有技術(shù)2)也被公布。
但是現(xiàn)有技術(shù)1的情況因上述噴射噴嘴12的噴淋顆粒不夠稠密,會(huì)阻礙微線路50um以下的線路和線路之間蝕刻部分的蝕刻液噴射途徑,從現(xiàn)實(shí)來(lái)講很難發(fā)揮其作用。而現(xiàn)有技術(shù)2的情況,因上述基板21在豎立的狀態(tài)下噴射蝕刻液,蝕刻液會(huì)隨著上述基板21流到下端,會(huì)引起上述基板21上端和下端之間的線路形成不均勻的問(wèn)題。
綜上可知,現(xiàn)有的方法在實(shí)際使用上,顯然存在不便與缺陷,所以有必要加以改進(jìn)。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)上述的缺陷,本實(shí)用新型的目的在于提供了一種構(gòu)成為微線路的噴盤裝置,能夠有效的去除基板上的蝕刻液使蝕刻的多個(gè)面形成比較均勻的蝕刻。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種構(gòu)成為微線路的噴盤裝置,包括有:
第一蝕刻結(jié)構(gòu),設(shè)有至少一用于向傳輸至第一加工位的基板噴射蝕刻液的第一噴嘴架以及至少一用于排出所述基板上的所述蝕刻液的真空吸入模塊;
第二蝕刻結(jié)構(gòu),設(shè)有至少一用于向傳輸至第二加工位的所述基板混合噴射所述蝕刻液和氣體的二流體的第二噴嘴架;
第三蝕刻結(jié)構(gòu),設(shè)有至少一用于向傳輸至第三加工位的所述基板的邊緣部分噴射所述蝕刻液的第三噴嘴架;
第四蝕刻結(jié)構(gòu),設(shè)有至少一用于根據(jù)所述基板的檢測(cè)信息向傳輸至第四加工位的所述基板間歇噴射所述蝕刻液的第四噴嘴架;
廢氣去除模塊,用于吸入所述基板上產(chǎn)生的廢氣并冷卻凝縮所述廢氣以形成回收藥液和純氣體。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





