[實(shí)用新型]一種抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821064515.8
• 申請(qǐng)日: 2018-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN208596678U
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹孫根;王志忠;張俊超;芮正果
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽鉅芯半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/861
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 趙娟

1.一種抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)，包括依次分布的陽極P+區(qū)、襯底N區(qū)和陰極N+區(qū)，其特征在于，其一側(cè)邊緣的陽極P+區(qū)至襯底N區(qū)三分之二處設(shè)有弧形溝槽，使得邊緣PN結(jié)形成80°～90°的正斜角度；所述陰極N+區(qū)內(nèi)設(shè)有P型控制區(qū)，所述P型控制區(qū)的平均摻雜濃度大于所述襯底N區(qū)的平均摻雜濃度，小于所述陽極P+區(qū)的平均摻雜濃度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型控制區(qū)設(shè)置于所述陰極N+區(qū)且緊挨所述襯底N區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型控制區(qū)的摻雜濃度為1e15～1e16cm^-3。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型控制區(qū)的長(zhǎng)度為1～10μm，厚度為0.5～50μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的抑制二次雪崩的二極管芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述P型控制區(qū)距陰極N+區(qū)表面的距離為20～90μm，距邊緣的距離為0.5～10μm。