[實用新型]一種可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置有效
| 申請號: | 201821060090.3 | 申請日: | 2018-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN208501097U | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 季天仁;劉文科;季宇 | 申請(專利權)人: | 成都紐曼和瑞微波技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/511 | 分類號: | C23C16/511;C23C16/27;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003 | 代理人: | 張永革 |
| 地址: | 610052 四川省成都市成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 本實用新型 等離子體化學氣相沉積裝置 高功率微波 金剛石膜 均勻性 可調諧 等離子體 微波諧振腔主體 微波輸入功率 模式變換器 部件距離 沉積效率 調節系統 多孔陣列 高效沉積 基片表面 聚焦能力 模式變換 氣體流動 微波電場 有效解決 出氣 高功率 緩沖倉 均流環 諧振腔 樣品臺 有效地 進氣 排布 腔體 沉積 | ||
1.一種可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,包括微波諧振腔主體、模式變換器以及微波電場調節系統;微波諧振腔主體由旋拋形上腔體、圓柱形中腔體、倒圓錐臺下腔體、樣品臺、沉積基臺、石英微波窗和介質環組成;所述樣品臺由圓環狀石英微波窗支撐在所述倒圓錐臺下腔體上方;所述沉積基臺固定在所述樣品臺上端;所述上腔體的內表面為旋轉拋物面,拋物線的焦點位于沉積基臺上的基片表面中心。
2.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述拋物線的方程:x2 = -2py,其中p=110~115mm,D為圓柱形中腔體的內徑;x=-D/2~+D/2。
3.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述倒圓錐臺下腔體上端開設若干圈出氣孔;內圈的兩個出氣口與相鄰的外圈上的一個出氣孔,三個出氣孔的中心軸呈構成等腰三角形,等腰三角形的底角55°至65°之間。
4.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述倒圓錐臺下腔體的倒圓錐臺斜邊與水平線夾角取32~36°,下端設置有與下腔體適配的介質環。
5.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述樣品臺由圓柱體端和倒圓錐臺下端組成,下端倒圓錐臺截面的側邊的水平傾斜角為30~35°。
6.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述模式變換器中同軸圓柱腔的高度為3/4*λ,門鈕底部最大半徑≈0.345*λg,λ為導入微波的波長,λg為波導波長。
7.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述圓柱形中腔體內設置有由若干個弧狀板拼成的環狀調節單元;所述弧狀板能單獨控制沿徑向前后移動。
8.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述旋拋形上腔體內腔的頂部設置有能沿內腔上下移動的上調節板。
9.如權利要求8所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述上調節板的內部設置有進氣均流環,均流環下設若干均布的進氣孔,所述進氣孔中心豎直向內傾斜12°~21°,且沿所述上調節板的底面按蜂窩狀排布。
10.如權利要求1所述的可調諧圓拋腔式高功率微波等離子體化學氣相沉積裝置,其特征在于,所述的旋拋形上腔體、圓柱形中腔體、倒圓錐臺下腔體、樣品臺、沉積基臺升降結構、上調節板、環形調節板、門鈕、同軸圓柱腔均通過內置中空夾層、多重管道實現多路循環冷卻水直接冷卻。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





