[實(shí)用新型]利用反向間距加倍工藝形成表面平坦化結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821058572.5
• 申請(qǐng)日: 2018-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208336151U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/31
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/31;H01L21/3105
• 代理公司: 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，形成于所述半導(dǎo)體襯底上的反向間隔掩膜層，形成于所述反向間隔掩膜層中的凹槽，及形成于所述凹槽兩側(cè)的凸起結(jié)構(gòu)；其中，所述凸起結(jié)構(gòu)具有平坦表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的深度介于30nm～50nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)還包括：由下至上依次形成于所述半導(dǎo)體襯底和所述反向間隔掩膜層之間的絕緣層、刻蝕停止層及第三掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽和所述凸起結(jié)構(gòu)均延伸至所述半導(dǎo)體襯底中，其中，所述半導(dǎo)體襯底中位于所述凹槽兩側(cè)的所述凸起結(jié)構(gòu)具有平坦表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度與所述凸起結(jié)構(gòu)的寬度相同，且小于光刻工藝的最小特征尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的寬度與所述凸起結(jié)構(gòu)的寬度相同，且等于光刻工藝的最小特征尺寸的一半。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，位于所述半導(dǎo)體襯底中的所述凸起結(jié)構(gòu)包含有源區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的表面平坦化結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述結(jié)構(gòu)還包括：填充于所述半導(dǎo)體襯底中的所述凹槽內(nèi)的絕緣層。