[實用新型]三維存儲器件

有效

• 申請號: 201821056305.4
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN208589444U
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器件，其特征在于包括階梯區，所述階梯區具有多個階梯結構，每個階梯結構包括從上到下交替堆疊的至少一柵極層和至少一介質層，其中在任意兩個相鄰階梯結構中，第一階梯結構頂部的第一柵極層的上表面高度，高于第二階梯結構底部的介質層的下表面高度，第一階梯結構頂部的第一柵極層與第二階梯結構中的柵極層電絕緣，所述第一階梯結構低于所述第二階梯結構，所述第一柵極層上連接有接觸部。

2.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一柵極層的上表面高度比所述第二階梯結構底部的介質層的下表面高度高10-50nm。

3.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一柵極層具有面向所述第二階梯結構的第一側面，所述第二階梯結構的所述至少一柵極層面向所述第一階梯結構的第二側面，所述第一側面和所述第二側面之間具有間隔，所述間隔被絕緣材料填充，使得第一階梯結構的所述第一柵極層與所述第二階梯結構的所述至少一柵極層之間電絕緣。

4.如權利要求3所述的三維存儲器件，其特征在于，所述間隔的寬度為20-80nm。

5.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，每個階梯結構包括從上到下交替堆疊的兩個第一柵極層和兩個介質層。

6.如權利要求5所述的三維存儲器件，其特征在于，所述多個階梯結構分別位于所述三維存儲器件的第一側和第二側，其中在相對應的第一側階梯結構和第二側階梯結構中，所述第一側階梯結構底部的柵極層與所述第二側階梯結構頂部的柵極層位于同一層。

7.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一柵極層由同一材料構成。

8.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述第一柵極層包括第一導電層和覆蓋所述第一導電層的第二導電層，所述第二導電層的材料不同于所述第一導電層。

9.如權利要求1所述的三維存儲器件，其特征在于，所述三維存儲器件為浮柵型三維NAND存儲器。