[實用新型]一種氮化鎵芯片的三相全橋電路及智能功率模塊

有效

• 申請號: 201821053251.6
• 申請日: 2018-07-04
• 公開（公告）號: CN208739041U
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 李孟;羅廣豪;李幸輝
• 申請（專利權）人: 鎵能半導體（佛山）有限公司
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H01L25/07
• 代理公司: 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) 11613
• 代理人: 齊勝杰

1.一種氮化鎵芯片的三相全橋電路，包括：6個功率開關器件和提供6個功率開關器件之間三相全橋電路連接走線的PCB板，其特征在于，所述6個功率開關器件采用至少一個氮化鎵集成組芯片形成，所述至少一個氮化鎵集成組芯片正裝在所述PCB板上。

2.根據權利要求1所述的三相全橋電路，其特征在于，所述至少一個氮化鎵集成組芯片正裝在所述PCB板上，包括：

所述至少一個氮化鎵集成組芯片的所有連接焊盤均位于遠離所述PCB板的一面，且采用引線與所述PCB板上對應的焊盤綁定連接。

3.根據權利要求1所述的三相全橋電路，其特征在于：所述6個功率開關器件中的每一個分別對應于所述至少一個氮化鎵集成組芯片中的一個氮化鎵高電子遷移率晶體管結構。

4.根據權利要求1至3任一所述的三相全橋電路，其特征在于：

所述三相全橋電路包括六個正裝在所述PCB板上的氮化鎵集成組芯片，每個所述氮化鎵集成組芯片內部集成了單個氮化鎵高電子遷移率晶體管結構，所述氮化鎵集成組芯片的形式是封裝后的芯片或未經封裝的裸芯片；

或者，

所述三相全橋電路包括三個正裝在所述PCB板上的氮化鎵集成組芯片，每個所述氮化鎵集成組芯片內部集成了半橋形式的氮化鎵高電子遷移率晶體管結構，所述氮化鎵集成組芯片的形式是封裝后的芯片或未經封裝的裸芯片；

或者，

所述三相全橋電路包括兩個正裝在所述PCB板上的氮化鎵集成組芯片，每個所述氮化鎵集成組芯片內部集成了三個氮化鎵高電子遷移率晶體管結構，且所述氮化鎵集成組芯片的形式是封裝后的芯片或未經封裝的裸芯片，其中一個氮化鎵集成組芯片用作所述三相全橋電路高端的功率開關，另一個所述氮化鎵集成組芯片用作所述三相全橋電路低端的功率開關；

或者，

所述三相全橋電路包括一個正裝在所述PCB板上的氮化鎵集成組芯片，所述氮化鎵集成組芯片內部集成六個氮化鎵高電子遷移率晶體管結構，且所述氮化鎵集成組芯片的形式是封裝后的芯片或未經封裝的裸芯片。

5.根據權利要求4所述的三相全橋電路，其特征在于：

所述三相全橋電路的輸入端、輸出端和用于與外部電路連接的連接端均為所述PCB板上的焊盤電極。

6.根據權利要求4所述的三相全橋電路，其特征在于：

所述氮化鎵集成組芯片的內部還包括用于驅動內部氮化鎵高電子遷移率晶體管結構的驅動電路，所述氮化鎵集成組芯片內部每一個氮化鎵高電子遷移率晶體管結構對應一個驅動電路。

7.一種氮化鎵芯片的智能功率模塊，其特征在于，該智能功率模塊內部的三相全橋電路采用上述權利要求1至6任一所述的三相全橋電路。

8.根據權利要求7所述的智能功率模塊，其特征在于，

所述智能功率模塊還包括：方便外部控制器驅動和/或保護所述智能功率模塊的驅動組件和/或保護組件；

所述驅動組件和/或所述保護組件分別借助于所述PCB板上的焊盤電極與所述三相全橋電路連接。