[實用新型]一種陶瓷基微熱板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821048226.9 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN208440276U | 公開(公告)日: | 2019-01-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王錦;張程;張克棟;馮奇;周乾飛;崔錚;李智星;劉福星 | 申請(專利權)人: | 上海汽車集團股份有限公司;蘇州納格光電科技有限公司 |
| 主分類號: | B81B7/02 | 分類號: | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京信遠達知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11304 | 代理人: | 魏曉波 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區(qū)*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱層 陶瓷膜 燒結(jié) 陶瓷漿料 陶瓷基 物理氣相沉積設備 高溫燒結(jié)工藝 化學氣相沉積 物理氣相沉積 耐高溫特性 耐高溫性能 導電漿料 低溫工藝 第一表面 加熱功耗 設備成本 熱導率 微熱板 散熱 硅基 漿料 微熱 制作 | ||
1.一種陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷基微熱板包括:
硅基底,所述硅基底具有相對的第一表面以及第二表面;所述第一表面具有中心加熱區(qū)以及外圍支撐區(qū),所述中心加熱區(qū)具有貫穿所述第一表面以及所述第二表面的空氣絕熱腔;
設置在所述硅基底的第一表面的陶瓷膜;
設置在所述陶瓷膜背離硅基底的一側(cè)表面的加熱層;所述加熱層包括電連接的加熱電極以及加熱電阻;所述加熱電阻位于所述中心加熱區(qū);
其中,所述陶瓷膜是由形成在所述硅基底表面的設定陶瓷漿料燒結(jié)而成;所述加熱層由形成在所述陶瓷膜表面的設定導電漿料燒結(jié)而成。
2.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述硅基底為雙面氧化、單面氧化或是未氧化的單晶硅片,所述單晶硅片的晶向為100或是111;
或者,所述硅基底為雙面氧化、單面氧化或是未氧化的多晶硅片。
3.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述硅基底的厚度為50μm-700μm,包括端點值。
4.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷漿料為玻璃和陶瓷體系的混合材料;
或,所述陶瓷漿料為微晶玻璃體系;
或,所述陶瓷漿料為單相陶瓷。
5.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的厚度為1μm-50μm,包括端點值。
6.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的電阻率大于1013Ω·cm。
7.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的熱膨脹系數(shù)為0.5×10-6/℃-10×10-6/℃,包括端點值。
8.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的介電常數(shù)為3-10,包括端點值。
9.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的熱導率為0.5W/(m·K)-10W/(m·K),包括端點值。
10.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜的應力為100MPa-1000MPa,包括端點值。
11.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜經(jīng)過拋光處理,使得所述陶瓷膜的粗糙度為0.5nm-1μm,包括端點值。
12.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷膜完全覆蓋所述第一表面,或是覆蓋部分所述第一表面。
13.根據(jù)權利要求1所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,所述陶瓷基微熱板包括多層所述陶瓷膜,所述陶瓷膜的陶瓷漿料不同以及所述陶瓷膜的厚度不同。
14.根據(jù)權利要求4所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,當所述陶瓷漿料為玻璃和陶瓷體系的混合材料時,所述陶瓷漿料中,陶瓷相材料包括氧化鋁陶瓷、氧化鎂陶瓷、氧化鈹陶瓷、氧化鋯陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化硼陶瓷、氮化鈦陶瓷、碳化硅陶瓷、碳化鈦陶瓷、碳化硼陶瓷中的一種或者多種,玻璃相材料為多種無機礦物為主原料添加輔助原料制成的無規(guī)則結(jié)構的非晶態(tài)固體,陶瓷相材料的晶粒熔進玻璃相材料的無定形網(wǎng)格中形成所述陶瓷膜。
15.根據(jù)權利要求4所述的陶瓷基微熱板,其特征在于,當所述陶瓷漿料為微晶玻璃體系時,所述陶瓷漿料中,微晶玻璃是由基礎玻璃通過加熱處理形成的同時含有晶向和玻璃相的固體復合材料;
其中,所述基礎玻璃包括多組分氧化物,在設定條件下,一部分所述基礎玻璃形成規(guī)則性排列,在玻璃相中形成微晶玻璃相。
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