[實(shí)用新型]一種PD設(shè)備的防浪涌電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821044700.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-07-03 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN208522458U | 公開（公告）日： | 2019-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鞏令風(fēng);譚在超;丁國(guó)華;羅寅;張勝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/02 | 分類號(hào)： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206 | 代理人： | 呂書桁 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市張家港*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單電源運(yùn)放 協(xié)議芯片 正輸入端 運(yùn)放 電路 防浪涌電路 采樣電阻 分壓電阻 負(fù)輸入端 電流源 輸出端 漏極 熔絲 源極 本實(shí)用新型 保護(hù)協(xié)議 用戶產(chǎn)品 柵極連接 最大電流 集成度 上電 使能 芯片 | ||
1.一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于：包括設(shè)置在協(xié)議芯片內(nèi)部的高增益運(yùn)算放大器、第一MOS管、運(yùn)算放大器、第一電流源、分壓電阻、熔絲修調(diào)電路、采樣電阻、第二MOS管、電源地GND和數(shù)字地VSS，電源VDD連接DC_DC模塊的輸入端，DC_DC模塊的接地端連接電源地GND，高增益運(yùn)算放大器的正輸入端連接在第一電流源和熔絲修調(diào)電路之間，高增益運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端連接運(yùn)算放大器的輸出端，高增益運(yùn)算放大器的輸出端連接第一MOS管的柵極，第一MOS管的漏極連接電源地GND，第一MOS管的源極連接運(yùn)算放大器的正輸入端，運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端連接數(shù)字地VSS，采樣電阻接入運(yùn)算放大器的正輸入端和數(shù)字地VSS之間，分壓電阻的一端連接熔絲修調(diào)電路，分壓電阻的另一端連接數(shù)字地VSS，第二MOS管的漏極連接第一MOS管的柵極，第二MOS管的柵極連接協(xié)議芯片內(nèi)的使能端EN，第二MOS管的源極連接數(shù)字地VSS。
2.如權(quán)利要求1所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運(yùn)算放大器采用單電源運(yùn)放，其在靜態(tài)工作點(diǎn)的輸入共模電壓由第一電流源、熔絲修調(diào)電路和分壓電阻決定。
3.如權(quán)利要求2所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運(yùn)算放大器采用共源共柵折疊式運(yùn)放結(jié)構(gòu)，具體包括第二電流源、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管，所述第三MOS管和第四MOS管的源極共接，第二電流源連接第三MOS管的源極，第三MOS管和第四MOS管的柵極分別引出作為高增益運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和正輸入端，第三MOS管的漏極連接第五MOS管的源極，第四MOS管的漏極連接第六MOS管的源極，第五MOS管和第六MOS管的柵極共連并引出作為偏置電壓端，第七M(jìn)OS管的漏極連接第五MOS管的源極，第七M(jìn)OS管的源極接地，第八MOS管的漏極連接第六MOS管的源極，第八MOS管的源極接地，第七M(jìn)OS管和第八MOS管的柵極共接并引出作為偏置電壓端，第九MOS管的漏極和柵極均連接第五MOS管的漏極，第十MOS管的漏極連接第六MOS管的漏極并引出作為高增益運(yùn)算放大器的輸出端，第九MOS管和第十MOS管的柵極共連，第十一MOS管的漏極連接第九MOS管的源極，第十二MOS管的漏極連接第十MOS管的源極，第十一MOS管和第十二MOS管的柵極共連，第十一MOS管和第十二MOS管的源極連接電源。
4.如權(quán)利要求1所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均為NMOS管。
5.如權(quán)利要求3所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述第三MOS管、第四MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管均為PMOS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管、第八MOS管均為NMOS管。
6.如權(quán)利要求5所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述第一MOS管的導(dǎo)通電阻阻值在1Ω以內(nèi)，所述采樣電阻的阻值在50mΩ以內(nèi)。
7.如權(quán)利要求6所述的一種PD設(shè)備的防浪涌電路，其特征在于，所述高增益運(yùn)算放大器的輸出電壓為Vout2，第一MOS管的跨導(dǎo)為gm，則在GND-VSS之間產(chǎn)生的限制電流Ilim為Ilim＝Vout2*gm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)蘇州鍇威特半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201821044700.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
