[實用新型]顯示基板、顯示裝置及高精度金屬掩模板有效
| 申請號: | 201821041261.8 | 申請日: | 2018-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN208507679U | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 譚文靜 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子區域 像素分布 顯示基板 金屬掩模板 顯示裝置 分辨率 本實用新型 攝像頭 局部像素 亮度分布 顯示區域 元件設置 透光率 傳感器 聽筒 屏幕 保證 | ||
1.一種顯示基板,所述顯示基板的顯示區域包括第一顯示子區域和第二顯示子區域,其特征在于:
所述第一顯示子區域內的像素分布密度大于所述第二顯示子區域內的像素分布密度;
所述第二顯示子區域內設置有均勻分布的多個子像素。
2.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第二顯示子區域包括多個第一子像素、多個第二子像素和多個第三子像素;
相同顏色的子像素的中心均勻分布。
3.如權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,沿行方向上相同顏色的子像素等間距排列,沿列方向上相同顏色的子像素呈等間距排列。
4.如權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,相鄰行中相同顏色的子像素呈錯位排列,且同行中相鄰兩個顏色相同的子像素的中心距離相鄰行中與其相鄰的同顏色的子像素的中心的距離相等。
5.如權利要求3所述的顯示基板,其特征在于,相鄰列中相同顏色的子像素呈錯位排列,且同列中相鄰兩個顏色相同的子像素的中心距離相鄰列中與其相鄰的同顏色的子像素的中心的距離相等。
6.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一顯示子區域內包括多個相鄰設置的第一像素單元和第二像素單元;其中,所述第一像素單元包括第一子像素和第二子像素,所述第二像素單元包括第三子像素和第二子像素;
所述第二顯示子區域內包括矩陣排列的多個第三像素單元,所述第三像素單元包括同行相鄰設置的第一子像素和第三子像素,以及與所述第一子像素和所述第三子像素均錯行設置的第二子像素;且沿行方向相鄰的兩個所述第三像素單元中,一個所述第三像素單元中的所述第一子像素、所述第三子像素和另一個所述第三像素單元中的所述第二子像素同行設置。
7.如權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第二顯示子區域內,同一列所述第三像素單元的子像素排列方式相同。
8.如權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述第三像素單元中,所述第二子像素與所述第一子像素的中心連線等于所述第二子像素與所述第三子像素的中心連線。
9.如權利要求8所述的顯示基板,其特征在于,沿行方向相鄰的所述第三像素單元中,相同顏色的子像素不相鄰。
10.如權利要求6-9任一項所述的顯示基板,其特征在于,在所述第一顯示子區域內所述第一像素單元和所述第二像素單元沿列方向和行方向均交替排列;
所述第一像素單元內所述第二子像素與所述第一子像素錯行且錯列排列;所述第二像素單元內所述第二子像素與所述第三子像素同行排列,且沿行方向相鄰的所述第一像素單元和所述第二像素單元中,兩個所述第二子像素不相鄰;
以沿列方向相鄰的第一像素單元和第二像素單元為一像素組,所述像素組內,所述第一像素單元內所述第二子像素與所述第二像素單元內的所述第二子像素位于同一列。
11.如權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述第二顯示子區域內的子像素與所述第一顯示子區域內的部分子像素位于同一行或位于同一列。
12.如權利要求11所述的顯示基板,其特征在于,所述第一顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第一子像素之間的間距等于所述第二顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第一子像素之間的距離;
所述第一顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第三子像素之間的間距等于所述第二顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第三子像素之間的間距;
所述第一顯示子區域內,以沿列方向相鄰的兩個所述第二子像素為一第二子像素組;所述第一顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第二子像素組之間的間距等于所述第二顯示子區域內沿列方向相鄰的兩個所述第二子像素之間的距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





