[實(shí)用新型]一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821040464.5
• 申請(qǐng)日: 2018-07-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208767611U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王智勇;周廣正;李穎;蘭天
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/183
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/183;H01S5/062
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 張立改

1.一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：VCSEL與HBT共享了n型InGaP發(fā)射區(qū)、p型GaAs基區(qū)和n型GaAs集電區(qū)，其結(jié)構(gòu)自上而下依次為p型GaAs帽層、p型AlGaAs/AlGaAs上DBR、Al_0.98Ga_0.02As氧化層和Al_xO_y復(fù)合層、InGaAs/AlGaAs量子阱、上下限制層、n型InGaP腐蝕阻擋層、n型GaAs集電區(qū)組成的圓柱結(jié)構(gòu)，Al_0.98Ga_0.02As氧化層和Al_xO_y復(fù)合層：Al_0.98Ga_0.02As氧化層為圓中心，Al_xO_y在Al_0.98Ga_0.02As氧化層外環(huán)；n型GaAs集電區(qū)的下層依次為p型GaAs基區(qū)、n型InGaP發(fā)射區(qū)，p型GaAs基區(qū)的一側(cè)延長(zhǎng)長(zhǎng)于n型GaAs集電區(qū)，其上為基極電極；n型InGaP發(fā)射區(qū)的一側(cè)延長(zhǎng)長(zhǎng)于p型GaAs基區(qū)，其上有發(fā)射極電極；n型InGaP發(fā)射區(qū)的向下的下層依次為非故意摻雜AlGaAs/AlAs下DBR、非故意摻雜GaAs緩沖層、半絕緣GaAs襯底；非故意摻雜AlGaAs/AlAs下DBR的上面除了n型InGaP發(fā)射區(qū)外，為平坦化填充材料BCB，平坦化填充材料BCB向上的上面與p型GaAs帽層齊平；在平坦化填充材料BCB向上的上面與p型GaAs帽層上均設(shè)有p面電極。

2.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的非故意摻雜GaAs緩沖層用于抑制半絕緣GaAs襯底中的位錯(cuò)向外延層中延伸，厚度為1000nm。

3.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的非故意摻雜AlGaAs/AlAs下DBR，由30.5對(duì)λ₀/4光學(xué)厚度的Al_0.12Ga_0.88As/AlAs構(gòu)成，總厚度為3988nm，摻雜濃度為2e¹⁸cm^-3。

4.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的n型InGaP發(fā)射區(qū)厚度為196nm，摻雜濃度為2e¹⁸cm^-3；所述的p型GaAs基區(qū)厚度為59nm，摻雜濃度為1e¹⁹cm^-3。

5.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的n型GaAs集電區(qū)厚度為118nm，摻雜濃度為1e¹⁸cm^-3。

6.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的n型InGaP腐蝕阻擋層，其InGaP與GaAs具有不同的腐蝕速率，起到選擇性腐蝕的作用；該阻擋層的厚度為65nm，摻雜濃度為2e¹⁸cm^-3。

7.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的上下限制層由Al_0.60Ga_0.40As材料構(gòu)成，厚度為110nm。

8.按照權(quán)利要求1所述的一種共享型VCSEL與HBT集成結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的InGaAs/AlGaAs量子阱光致發(fā)光波長(zhǎng)比λ₀小10-20nm，包含4對(duì)In_0.10Ga_0.90As/Al_0.37Ga_0.63As材料，厚度為45nm。