[實(shí)用新型]陣列基板、顯示面板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821037357.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN208607473U | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 辛武根;董慧;許海峰;牟廣營(yíng);張維;王凱文 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1362 | 分類號(hào): | G02F1/1362;G02F1/1339 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 230012 *** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列基板 覆晶薄膜 外圍區(qū)域 綁定區(qū) 凹陷結(jié)構(gòu) 顯示面板 顯示裝置 粘接材料 側(cè)邊 填充 本實(shí)用新型 顯示區(qū)域 水汽 不良率 短路 腐蝕 | ||
本實(shí)用新型公開了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。所述陣列基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域,所述外圍區(qū)域包括覆晶薄膜綁定區(qū),所述外圍區(qū)域還設(shè)置有用于填充粘接材料的凹陷結(jié)構(gòu),所述凹陷結(jié)構(gòu)位于所述覆晶薄膜綁定區(qū)與所述陣列基板的側(cè)邊之間,所述側(cè)邊為所述陣列基板靠近所述覆晶薄膜綁定區(qū)的一側(cè)邊。通過在外圍區(qū)域設(shè)置用于填充粘接材料的凹陷結(jié)構(gòu),使得在覆晶薄膜綁定區(qū)覆晶薄膜與陣列基板之間很難出現(xiàn)縫隙,避免水汽進(jìn)入對(duì)引線造成腐蝕,避免引線短路的問題,降低了陣列基板、顯示面板以及顯示裝置的不良率,提升了產(chǎn)品質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù)
隨著移動(dòng)終端設(shè)備的發(fā)展,手機(jī)、筆記本等產(chǎn)品的顯示屏越來越多地采用全面屏設(shè)計(jì)。
對(duì)于液晶面板而言,為了實(shí)現(xiàn)全面屏,需將陣列基板設(shè)置于彩膜基板(ColorFilter,CF)上,也即將陣列基板設(shè)置在液晶面板的出光面。其中,陣列基板的面積大于CF的面積,陣列基板相比于CF多出的區(qū)域?yàn)榻壎?Bonding)區(qū)域,用來與驅(qū)動(dòng)電路連接。
其中,驅(qū)動(dòng)電路采用覆晶薄膜(Chip On Film,COF)技術(shù)粘合在陣列基板朝向CF的一面上。而由于在全面屏設(shè)計(jì)中,陣列基板設(shè)置在CF上,此時(shí)COF的搭接方式由傳統(tǒng)的正折改為反折,正折是指COF彎折并繞過陣列基板的側(cè)邊的搭接方式,反折是指COF彎折而未繞過陣列基板的側(cè)邊的搭接方式。在采用反折的搭接方式的情況下,COF在受到側(cè)向力時(shí),COF與陣列基板的粘合區(qū)域處于拉扯狀態(tài),長(zhǎng)期拉應(yīng)力循環(huán)下,COF與陣列基板之間容易出現(xiàn)縫隙,水汽通過縫隙進(jìn)入容易造成綁定區(qū)域的引線短路。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,保證COF和陣列基板之間的密封,避免被水汽侵蝕。
第一方面,本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域,所述外圍區(qū)域包括覆晶薄膜綁定區(qū),所述外圍區(qū)域還設(shè)置有用于填充粘接材料的凹陷結(jié)構(gòu),所述凹陷結(jié)構(gòu)位于所述覆晶薄膜綁定區(qū)與所述陣列基板的側(cè)邊之間,所述側(cè)邊為所述陣列基板靠近所述覆晶薄膜綁定區(qū)的一側(cè)邊。
在本實(shí)用新型實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述凹陷結(jié)構(gòu)將所述覆晶薄膜綁定區(qū)與所述側(cè)邊隔開。
在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述凹陷結(jié)構(gòu)包括與所述側(cè)邊間隔設(shè)置的凹槽和緊貼所述側(cè)邊設(shè)置的止口中的至少一種。
在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述凹陷結(jié)構(gòu)包括所述凹槽,所述外圍區(qū)域還包括環(huán)繞所述覆晶薄膜綁定區(qū)的溢膠區(qū),所述凹槽位于所述溢膠區(qū)內(nèi),或者所述凹槽穿過所述溢膠區(qū)。
在本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述凹陷結(jié)構(gòu)的深度為0.2-0.3mm,在垂直于所述側(cè)邊且與所述陣列基板平行的方向上,所述凹陷結(jié)構(gòu)的寬度為0.3-0.5mm。
第二方面,本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示面板,所述顯示面板包括如第一方面任一項(xiàng)所述的陣列基板。
第三方面,本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括陣列基板以及覆晶薄膜,所述陣列基板包括顯示區(qū)域和外圍區(qū)域,所述外圍區(qū)域包括覆晶薄膜綁定區(qū),所述覆晶薄膜與所述覆晶薄膜綁定區(qū)連接;
所述外圍區(qū)域還設(shè)置有凹陷結(jié)構(gòu),所述凹陷結(jié)構(gòu)位于所述覆晶薄膜綁定區(qū)與所述陣列基板的側(cè)邊之間,所述側(cè)邊為所述陣列基板靠近所述覆晶薄膜綁定區(qū)的一側(cè)邊,所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)填充有粘接所述陣列基板以及所述覆晶薄膜的粘接材料。
在本實(shí)用新型實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述凹陷結(jié)構(gòu)包括與所述側(cè)邊間隔設(shè)置的凹槽和緊貼所述側(cè)邊設(shè)置的止口中的至少一種。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
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G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





