[實用新型]一種基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件

有效

• 申請號: 201821031401.3
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN208873725U
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 劉新宇;王成森;王鑫華;王澤衛;黃森;康玄武;魏珂;黃健
• 申請（專利權）人: 捷捷半導體有限公司;中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/861;H01L29/872;H01L21/329;H01L21/28;B82Y40/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，包括：

襯底；

形成于所述襯底上的薄勢壘Al(In，Ga)N/GaN異質結構；

形成于所述薄勢壘Al(In，Ga)N/GaN異質結構非陽極區域上的SiNx電荷恢復層；

形成于所述薄勢壘Al(In，Ga)N/GaN異質結構陽極區域上的納米溝道陣列結構；以及

形成于所述SiNx電荷恢復層通孔中的陰極金屬和形成于所述納米溝道陣列結構上的陽極金屬。

2.根據權利要求1所述的基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，所述薄勢壘Al(In，Ga)N/GaN異質結構包括：形成于所述襯底上的GaN緩沖層以及形成于所述GaN緩沖層上的Al(In，Ga)N薄勢壘層。

3.根據權利要求1所述的基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，在所述薄勢壘Al(In，Ga)N/GaN異質結構的所述Al(In，Ga)N薄勢壘層與所述GaN緩沖層之間產生二維電子氣2DEG。

4.根據權利要求3所述的基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，所述納米溝道占空比小于50％，納米溝道凹槽底部深度大于2DEG溝道深度，且兩者深度差在30nm以上，所述陽極金屬與所述2DEG溝道直接接觸。

5.根據權利要求1所述的基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，所述納米溝道凹槽長邊延伸方向平行于所述薄勢壘GaN SBD器件的陽極與陰極的連線方向。

6.根據權利要求1所述的基于納米溝道陣列的薄勢壘GaN SBD器件，其特征在于，采用LPCVD技術生長在Al(In，Ga)N薄勢壘層上方生長SiNx電荷恢復層，LPCVD-SiNx電荷恢復層的厚度＜20nm，應力介于1GPa至5Gpa之間。