[實用新型]晶體管結構

有效

• 申請號: 201821030367.8
• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN208256680U
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 周步康
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 宋珊珊;陳建煥

1.一種晶體管結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中定義有間隔設置的源極區和漏極區；

柵極氧化層，覆蓋所述源極區的部分上表面、所述漏極區的部分上表面及所述源極區和所述漏極區之間外露的所述襯底的上表面，所述柵極氧化層的厚度范圍為大于等于2納米小于等于5納米；以及

晶體管柵極，設置于所述柵極氧化層上且對準于所述襯底在所述源極區和所述漏極區之間外露的上表面，所述晶體管柵極包括貼附于所述柵極氧化層的多晶導電結構、設置于所述多晶導電結構上的金屬導電層，以及覆蓋所述金屬導電層的介電保護層；

其中，所述多晶導電結構包括：第一柵極導電硅層，形成在所述柵極氧化層之上且位于所述源極區和所述漏極區之間的間隔之上的位置處；第二柵極導電硅層，設置在所述第一柵極導電硅層上，且所述第一柵極導電硅層和所述柵極第二導電硅層導通；柵極的第一隔離氧化層，設置在所述第一柵極導電硅層和所述第二柵極導電硅層之間，以隔離所述第一柵極導電硅層和所述第二柵極導電硅層，所述柵極的第一隔離氧化層的厚度范圍為大于0.01納米小于1納米。

2.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述多晶導電結構還包括：

柵極的第二隔離氧化層，覆蓋所述第二柵極導電硅層；

第三柵極導電硅層，覆蓋所述柵極的第二隔離氧化層，且所述第二柵極導電硅層和所述第三柵極導電硅層導通；

其中，所述柵極的第二隔離氧化層的厚度范圍為大于0.1納米小于1納米。

3.根據權利要求2所述的晶體管結構，其特征在于，所述多晶導電結構還包括：

柵極的第三隔離氧化層，覆蓋所述第三柵極導電硅層；

第四柵極導電硅層，覆蓋所述柵極的第三隔離氧化層，且所述第三柵極導電硅層和所述第四柵極導電硅層導通；

其中，所述柵極的第三隔離氧化層的厚度范圍為大于0.1納米小于1納米。

4.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述第一柵極導電硅層和所述第二柵極導電硅層的表面粗糙度的各自的取值范圍為大于等于3％小于等于10％。

5.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，所述第一柵極導電硅層和第二柵極導電硅層的單層厚度范圍為大于等于10納米小于等于30納米。

6.根據權利要求1所述的晶體管結構，其特征在于，還包括側隔離結構，所述側隔離結構貼附于所述晶體管柵極的側面，且覆蓋所述源極區的上表面中露出的部分、所述漏極區的上表面中的露出的部分、以及所述柵極氧化層的上表面中露出的部分。