[實(shí)用新型]硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201821029389.2
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208505950U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-02-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李振;陳久林;丁建明;崔鐘亨
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 韓華新能源（啟東）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N27/04
• 分類(lèi)號(hào): G01N27/04
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103
• 代理人: 孫仿衛(wèi);林傳貴

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備，包括傳送軌道、用于將待測(cè)的硅片放置于所述傳送軌道上的前端機(jī)械手臂、位于所述傳送軌道上的電極滾輪、與所述電極滾輪相連接的且用于測(cè)試所述硅片實(shí)際電阻值的歐姆測(cè)試儀以及將所述待測(cè)硅片分選至承載容器內(nèi)的后端機(jī)械手臂和控制系統(tǒng)，所述前端機(jī)械手臂和后端機(jī)械手臂上設(shè)置有用于吸取所述硅片的吸片器。本實(shí)用新型的一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備，能夠快速分辨出硅片的導(dǎo)電類(lèi)型，結(jié)果準(zhǔn)確。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于硅片制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備。

背景技術(shù)

硅片是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的半導(dǎo)體裝置，目前以晶硅太陽(yáng)能電池為光伏行業(yè)內(nèi)的主流產(chǎn)品，其原理是當(dāng)太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p-n結(jié)上，產(chǎn)生新的空穴-電子對(duì)，在p-n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，光生空穴流向p區(qū)，光生電子流向n區(qū)，導(dǎo)致p-n結(jié)兩邊分別帶上正負(fù)電荷，接通電路后就產(chǎn)生電流。p-n結(jié)是硅片的核心單元，其形成方式一般有兩種，在P型硅的一面擴(kuò)散磷或者在N型硅的一面擴(kuò)散硼。因此在擴(kuò)散制結(jié)的工藝流程前，確認(rèn)硅片的導(dǎo)電類(lèi)型即P型還是N型，顯得十分重要。目前一般常用兩種方法判定硅片的導(dǎo)電類(lèi)型，目視法和冷熱探針?lè)ā?/p>

目視法：主要依照對(duì)硅片表面的細(xì)微顏色變化進(jìn)行識(shí)別，但由于對(duì)顏色的認(rèn)可因人而異，不同生產(chǎn)工藝所呈現(xiàn)的表面顏色也存在差異，檢驗(yàn)很難準(zhǔn)確進(jìn)行。目視也只能對(duì)表面有磷硅玻璃的半成品進(jìn)行識(shí)別，產(chǎn)品的其他階段無(wú)法實(shí)施。

冷熱探針?lè)ǎ豪脺夭铍娦?yīng)的原理，將兩根溫度不同的探針與硅片表面接觸，兩探針間外接檢流計(jì)（或數(shù)字電壓表）形成一閉合回路，根據(jù)兩個(gè)接觸點(diǎn)處存在溫差所引起的溫差電流（或溫差電壓）的方向可以確定導(dǎo)電類(lèi)型，但是這種方法針對(duì)對(duì)較厚的PN導(dǎo)電類(lèi)型識(shí)別力較強(qiáng)，由于硅片生產(chǎn)過(guò)程中主要針對(duì)薄層面或者邊緣薄層進(jìn)行檢測(cè)，因此這種方法識(shí)別準(zhǔn)確度不高。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，為了克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型的目的之一是提供一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備，其運(yùn)行簡(jiǎn)單、操作方便，判別結(jié)果迅速準(zhǔn)確，且能夠針對(duì)薄層面或者硅片的邊緣薄層進(jìn)行檢測(cè)識(shí)別。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用以下的技術(shù)方案：

一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備，包括傳送軌道、用于將待測(cè)的硅片放置于所述傳送軌道上的前端機(jī)械手臂、位于所述傳送軌道上的電極滾輪、與所述電極滾輪相連接的且用于測(cè)試所述硅片實(shí)際電阻值的歐姆測(cè)試儀以及根據(jù)所述歐姆測(cè)試儀的測(cè)試結(jié)果將所述待測(cè)硅片分選至承載容器內(nèi)的后端機(jī)械手臂，所述前端機(jī)械手臂和后端機(jī)械手臂上設(shè)置有用于吸取所述硅片的吸片器。通過(guò)與歐姆測(cè)試儀連接的電極滾輪，能夠?qū)崟r(shí)測(cè)出位于電極滾輪上的硅片的電阻值，控制系統(tǒng)將硅片的實(shí)際電阻值與設(shè)定的電阻閾值進(jìn)行對(duì)比，若該硅片的實(shí)際電阻值小于設(shè)定的電阻閾值，則控制系統(tǒng)控制后端機(jī)械手臂將該硅片放入N型硅片承載區(qū)，若該硅片的實(shí)際電阻值大于設(shè)定的電阻閾值，則控制系統(tǒng)控制后端機(jī)械手臂將該硅片放入P型硅片承載區(qū)。

優(yōu)選地，所述電極滾輪的上方設(shè)置有吹出壓縮空氣的用于將所述硅片緊貼于所述電極滾輪的氣簾。

本實(shí)用新型還提供了一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試儀，包括歐姆電阻表以及用于接觸待測(cè)硅片的彈簧探針，所述歐姆電阻表與所述彈簧探針之間用導(dǎo)線電性連接。

優(yōu)選地，兩根所述彈簧探針之間的間距為1cm。

優(yōu)選地，所述歐姆電阻表為指針式歐姆電阻表，所述指針式歐姆電阻表的指示盤(pán)上設(shè)有一標(biāo)示線，所述標(biāo)示線所在位置的電阻值為設(shè)定的電阻閾值。通過(guò)在指針式歐姆電阻表中設(shè)置標(biāo)示線，使得測(cè)得的硅片的電阻值實(shí)時(shí)與設(shè)定的電阻閾值進(jìn)行對(duì)比，并在標(biāo)示線的左側(cè)標(biāo)記出N型硅片、標(biāo)示線的右側(cè)標(biāo)記出P型硅片，能夠快速得出當(dāng)前的待測(cè)硅片是N型硅片還是P型硅片。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益之處在于：本實(shí)用新型的一種硅片導(dǎo)電類(lèi)型判別設(shè)備和硅片導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試儀，能夠快速分辨出硅片的導(dǎo)電類(lèi)型，結(jié)果準(zhǔn)確，且能夠針對(duì)薄層面或者硅片的邊緣薄層進(jìn)行檢測(cè)識(shí)別。