[實(shí)用新型]低藍(lán)光LED光源及照明裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201821007762.4
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN208566216U
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾勝;曾驕陽;曾靈芝;陳俊達(dá);陳道蓉;許瑞龍
• 申請（專利權(quán)）人: 朗昭創(chuàng)新控股（深圳）有限公司
• 主分類號: F21K9/20
• 分類號: F21K9/20;F21V9/45;F21V19/00;F21V23/00;F21Y115/10
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.低藍(lán)光LED光源，其特征在于，包括設(shè)有導(dǎo)電線路的基片，所述基片上設(shè)有反射杯以及容置于于所述反射杯中并與所述導(dǎo)電線路連接的至少一組發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括白光發(fā)光體和紅光發(fā)光體，所述白光發(fā)光體包括藍(lán)光芯片和設(shè)置于所述藍(lán)光芯片外部的光學(xué)轉(zhuǎn)換層，所述紅光發(fā)光體包括紅光芯片，所述紅光發(fā)光體用于發(fā)射紅光補(bǔ)償所述白光相對于自然光缺失的部分以獲得近自然光；所述白光發(fā)光體的總光通量和所述紅光發(fā)光體的總光輻射量比為2-5:1；所述近自然光中的藍(lán)光色比小于5.7％；所述近自然光中藍(lán)光的相對光譜功率小于0.75；所述近自然光中紅光的相對光譜功率大于0.60。

2.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述近自然光的色溫范圍為2700K-6000K；所述近自然光的色容差小于5，顯色指數(shù)Ra大于95，R9的顯色指數(shù)大于90，R12的顯色指數(shù)大于80。

3.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述近自然光中440nm藍(lán)光的相對光譜功率低于0.65。

4.如權(quán)利要求3所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述反射杯為四棱臺(tái)形結(jié)構(gòu)，其包括四個(gè)梯形的反光面，在相鄰的反光面之間通過斜切面連接，在所述反射杯中設(shè)有封裝膠體，所述封裝膠體的出光面為平面結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，

所述近自然光中橙色光的相對光譜功率大于0.55；

所述近自然光中黃色光的相對光譜功率大于0.50；

所述近自然光中綠色光的相對光譜功率大于0.35；

所述近自然光中青色光的相對光譜功率大于0.30；

所述近自然光中紫色光的相對光譜功率小于0.10。

6.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述藍(lán)光芯片的波長范圍為450-480nm；所述紅光芯片的波長為640-700nm；在一組發(fā)光結(jié)構(gòu)中，所述藍(lán)光芯片與紅光芯片的數(shù)量比為1～8:1，其中，紅光芯片的數(shù)量為1～3顆。

7.如權(quán)利要求6所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述藍(lán)光芯片和紅光芯片倒裝于所述基片上，所述低藍(lán)光LED光源的長度小于或等于6mm，所述低藍(lán)光LED光源的寬度小于3mm。

8.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述光學(xué)轉(zhuǎn)換層為熒光層或磷光層。

9.如權(quán)利要求1所述的低藍(lán)光LED光源，其特征在于，所述導(dǎo)電線路包括一組正負(fù)電極，所述白光發(fā)光體和紅光發(fā)光體串聯(lián)且連接所述一組正負(fù)電極，通過相同的驅(qū)動(dòng)電流統(tǒng)一驅(qū)動(dòng)；

或者，所述導(dǎo)電線路包括兩組或三組正負(fù)電極，所述白光發(fā)光體和紅光發(fā)光體分別連接不同組正負(fù)電極，通過不同的驅(qū)動(dòng)電流分別驅(qū)動(dòng)。

10.照明裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的低藍(lán)光LED光源。