[實用新型]氣閘室及半導體生產設備有效
| 申請號: | 201821002311.1 | 申請日: | 2018-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN208368476U | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 腔門 傳送腔體 晶圓 傳感器 氣閘室 腔蓋 半導體生產設備 本實用新型 感測區域 活動連接 控制裝置 傳送腔 偏移 感測 體內 開啟狀態 生產效率 有效減少 兩側壁 損傷 傳送 | ||
1.一種傳送晶圓的氣閘室,其特征在于,包括:
傳送腔體,所述傳送腔體上設有第一腔門、第二腔門及腔蓋,所述第一腔門及所述第二腔門分別位于所述傳送腔體的兩側壁上,且與所述傳送腔體活動連接,所述腔蓋位于所述傳送腔體的頂部且與所述傳送腔體活動連接;
至少一晶圓感測區域,位于所述傳送腔體內,所述晶圓感測區域的形狀及尺寸與晶圓的形狀及尺寸相匹配;
多個傳感器,位于所述腔蓋上,用于在晶圓傳送至所述傳送腔體內后感測所述晶圓的位置是否發生偏移,所述傳感器至少包括第一門側傳感器、第二門側傳感器及輔助點傳感器,所述第一門側傳感器鄰靠所述第一腔門,所述第二門側傳感器鄰靠所述第二腔門,所述輔助點傳感器距所述第一門側傳感器及所述第二門側傳感器的距離相等且所述第一門側傳感器的感測軸、所述第二門側傳感器的感測軸及所述輔助點傳感器的感測軸均與所述晶圓感測區域的邊緣相交;
控制裝置,與所述第一腔門、所述第二腔門及多個所述傳感器相連接,用于控制所述第一腔門及所述第二腔門的開啟及關閉,并于所述傳感器感測到所述晶圓的位置發生偏移時控制開啟的所述第一腔門或所述第二腔門維持開啟狀態。
2.根據權利要求1所述的氣閘室,其特征在于:多個所述傳感器沿所述晶圓感測區域的周向均勻間隔排布。
3.根據權利要求1所述的氣閘室,其特征在于:所述第一門側傳感器的感測軸、所述第二門側傳感器的感測軸及所述輔助點傳感器的感測軸均與所述晶圓感測區域的邊緣垂直相交。
4.根據權利要求1所述的氣閘室,其特征在于:所述氣閘室還包括報警裝置,所述報警裝置與多個所述傳感器相連接,用于在所述傳感器感測到所述晶圓的位置出現偏差時發出報警信息。
5.一種半導體生產設備,其特征在于,包括:
傳送腔體,所述傳送腔體上設有第一腔門、第二腔門及腔蓋,所述第一腔門及所述第二腔門分別位于所述傳送腔體的兩側壁上,且與所述傳送腔體活動連接,所述腔蓋位于所述傳送腔體的頂部且與所述傳送腔體活動連接;
至少一晶圓感測區域,位于所述傳送腔體內,所述晶圓感測區域的形狀及尺寸與晶圓的形狀及尺寸相匹配;
多個傳感器,位于所述傳送腔體內且位于所述腔蓋上,用于在晶圓傳送至所述傳送腔體內后感測所述晶圓的位置是否發生偏移,所述傳感器至少包括第一門側傳感器、第二門側傳感器及輔助點傳感器,所述第一門側傳感器鄰靠所述第一腔門,所述第二門側傳感器鄰靠所述第二腔門,所述輔助點傳感器距所述第一門側傳感器及所述第二門側傳感器的距離相等且所述第一門側傳感器的感測軸、所述第二門側傳感器的感測軸及所述輔助點傳感器的感測軸均與所述晶圓感測區域的邊緣相交;
控制裝置,與所述第一腔門、所述第二腔門及多個所述傳感器相連接,用于控制所述第一腔門及所述第二腔門的開啟及關閉,并于所述傳感器感測到所述晶圓的位置發生偏移時控制開啟的所述第一腔門或所述第二腔門維持開啟狀態;及,
反應腔室,所述反應腔室經由所述第一腔門或所述第二腔門與所述傳送腔體內部相連通。
6.根據權利要求5所述的半導體生產設備,其特征在于:多個所述傳感器沿所述晶圓感測區域的周向均勻間隔排布。
7.根據權利要求5所述的半導體生產設備,其特征在于:所述第一門側傳感器的感測軸、所述第二門側傳感器的感測軸及所述輔助點傳感器的感測軸均與所述晶圓感測區域的邊緣垂直相交。
8.根據權利要求5所述的半導體生產設備,其特征在于:所述半導體生產設備還包括報警裝置,所述報警裝置與所述傳感器相連接,用于在所述傳感器感測到所述晶圓的位置出現偏差時發出報警信息。
9.根據權利要求5所述的半導體生產設備,其特征在于:所述半導體生產設備還包括中轉腔室,所述中轉腔室連接于所述反應腔室與所述傳送腔體之間。
10.根據權利要求5所述的半導體生產設備,其特征在于:所述半導體生產設備還包括輔助真空腔室,所述傳送腔體通過所述輔助真空腔室與一裝載腔室相連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





