[實(shí)用新型]一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820998899.4
• 申請(qǐng)日: 2018-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN208478299U
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 闞保國;劉家樺;葉日銓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實(shí)用新型提供了一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)，包括：靜電吸盤、邊緣環(huán)以及探測(cè)裝置；所述邊緣環(huán)設(shè)置于所述靜電吸盤上以限定出一承載空間，所述探測(cè)裝置設(shè)置于所述邊緣環(huán)外側(cè)，探測(cè)待加工晶圓是否恰好傳遞至所述承載空間中。在半導(dǎo)體工藝中，晶圓需要被放置到靜電吸盤上進(jìn)行作業(yè)，晶圓放置到所述靜電吸盤上時(shí)位置容易發(fā)生偏移，造成晶圓產(chǎn)生區(qū)域性缺陷。本實(shí)用新型中通過采用所述探測(cè)裝置探測(cè)所述晶圓在所述靜電吸盤上的位置，能及時(shí)探測(cè)所述晶圓的位置是否發(fā)生偏移，若發(fā)生位置偏移，則所述探測(cè)裝置會(huì)及時(shí)報(bào)警并停止作業(yè)，避免后續(xù)晶圓繼續(xù)偏移，繼續(xù)受損；從而提高了產(chǎn)品的良率，降低了由于晶圓受損帶來的經(jīng)濟(jì)損失。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，半導(dǎo)體設(shè)備傳送路徑的偵測(cè)系統(tǒng)只能偵測(cè)到進(jìn)腔體之前的位置偏移并矯正，對(duì)于腔體內(nèi)的位置無法偵測(cè)，存在關(guān)鍵區(qū)域的偵測(cè)盲區(qū)，因此存在較大的風(fēng)險(xiǎn)。

當(dāng)晶圓在偵測(cè)盲區(qū)內(nèi)位置發(fā)生偏移，并放置到靜電吸盤上，如果位置偏移過大，晶圓搭在邊緣環(huán)上，會(huì)觸發(fā)背氦系統(tǒng)報(bào)警；但是如果在位置偏移不是很大的情況下，晶圓在放置到所述靜電吸盤表面的過程中，會(huì)造成晶圓產(chǎn)生區(qū)域缺陷，在產(chǎn)品缺陷掃描之前，由于沒有相關(guān)報(bào)警訊息和參數(shù)變化信息，腔體還會(huì)繼續(xù)跑貨，造成大量產(chǎn)品良率降低甚至報(bào)廢。

因此，急需提供一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中被偵測(cè)晶圓位置發(fā)生偏移，造成大量產(chǎn)品良率偏低甚至報(bào)廢的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中被偵測(cè)晶圓位置發(fā)生偏移，造成大量產(chǎn)品良率偏低甚至報(bào)廢的問題。

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型提供了一種晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)，包括：靜電吸盤、邊緣環(huán)以及探測(cè)裝置；所述邊緣環(huán)設(shè)置于所述靜電吸盤上以限定出一承載空間，所述探測(cè)裝置設(shè)置于所述邊緣環(huán)外側(cè)，探測(cè)待加工晶圓是否恰好傳遞至所述承載空間中。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述探測(cè)裝置的探測(cè)方向與所述承載空間的最邊緣相切。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)包括腔體，所述探測(cè)裝置設(shè)置在所述腔體的內(nèi)壁上。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述探測(cè)裝置的數(shù)量為多個(gè)，并均勻分布。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述探測(cè)裝置的位置高于所述邊緣環(huán)的上表面。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述探測(cè)裝置包括藍(lán)寶石材質(zhì)紅外探測(cè)裝置。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述靜電吸盤包括底座和支撐部，所述支撐部設(shè)置在所述底座上，所述邊緣環(huán)套設(shè)在所述支撐部并與所述底座相接觸，所述邊緣環(huán)的高度大于所述支撐部的高度。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述邊緣環(huán)內(nèi)側(cè)呈一環(huán)形臺(tái)階狀，包括一側(cè)面和一臺(tái)階面，所述側(cè)面與所述臺(tái)階面遠(yuǎn)離所述支撐部的一側(cè)相交并遠(yuǎn)離所述底座，所述臺(tái)階面低于或齊平于所述支撐部的頂面。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述探測(cè)裝置上設(shè)置有報(bào)警裝置。

可選的，在所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述腔體包括半導(dǎo)體反應(yīng)腔體。

在本實(shí)用新型所提供的晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)中，所述晶圓位置偵測(cè)系統(tǒng)包括：靜電吸盤、邊緣環(huán)以及探測(cè)裝置；所述邊緣環(huán)設(shè)置于所述靜電吸盤上以限定出一承載空間，所述探測(cè)裝置設(shè)置于所述邊緣環(huán)外側(cè)，探測(cè)待加工晶圓是否恰好傳遞至所述承載空間中。