[實(shí)用新型]一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820994591.2
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN208283187U
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛河;李富強(qiáng);王帥;李萌;侯鵬飛
• 申請（專利權(quán)）人: 西安科技大學(xué)
• 主分類號: G01N3/08
• 分類號: G01N3/08
• 代理公司: 西安創(chuàng)知專利事務(wù)所 61213
• 代理人: 譚文琰

1.一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：包括檢測模塊、對金屬構(gòu)件(14)夾持的夾持機(jī)構(gòu)和對金屬構(gòu)件(14)施加殘余壓應(yīng)力或者殘余拉應(yīng)力的施力機(jī)構(gòu)，所述夾持機(jī)構(gòu)包括上夾持組件、下夾持組件和對所述上夾持組件與所述下夾持組件進(jìn)行鎖緊的鎖緊機(jī)構(gòu)，所述上夾持組件包括上連接件(2)和設(shè)置在上連接件(2)上的上立柱(8)，所述下夾持組件包括下連接件(3)和設(shè)置在下連接件(3)上的下立柱(9)，所述上連接件(2)和下連接件(3)中設(shè)置有供所述鎖緊機(jī)構(gòu)貫穿的螺紋孔，所述鎖緊機(jī)構(gòu)包括穿設(shè)在上立柱(8)上的鎖緊座(1)和兩個(gè)對稱穿設(shè)在鎖緊座(1)內(nèi)且貫穿上連接件(2)的鎖緊件，所述鎖緊座(1)和下連接件(3)之間設(shè)置導(dǎo)向桿(5)，所述導(dǎo)向桿(5)貫穿上連接件(2)，且所述上連接件(2)能沿導(dǎo)向桿(5)滑動，所述施力機(jī)構(gòu)為直線電機(jī)(13)，所述直線電機(jī)(13)的輸出軸通過傳動組件與上立柱(8)固定連接，所述檢測模塊包括控制器(15)以及與控制器(15)相接的時(shí)鐘模塊(21)，所述控制器(15)的輸出端接有驅(qū)動直線電機(jī)(13)動作的電機(jī)驅(qū)動電路(22)，所述控制器(15)的輸入端接有拉力傳感器(18)、激光測距傳感器(19)和壓力傳感器(20)。

2.按照權(quán)利要求1所述的一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：所述電機(jī)驅(qū)動電路(22)包括芯片IR2103S，所述IR2103S的第1引腳分三路，一路與12V直流電源輸出端相接，另一路經(jīng)電容C1接地，第三路與穩(wěn)壓管VD1的陽極相接；所述芯片IR2103S的第2引腳和第3引腳均與控制器(15)相接，所述芯片IR2103S的第4引腳接地，所述芯片IR2103S的第5引腳經(jīng)電阻R4與N溝道耗盡型MOS管Q2的柵極相接，所述芯片IR2103S的第6引腳分四路，第一路與電容C2的一端相接，第二路與N溝道耗盡型MOS管Q2的漏極相接，第三路與N溝道耗盡型MOS管Q1的源極相接，第四路與直線電機(jī)(13)相接；所述芯片IR2103S的第7 引腳經(jīng)電阻R1與N溝道耗盡型MOS管Q1的柵極相接，所述芯片IR2103S的第8引腳分兩路，一路與穩(wěn)壓管VD1的陰極相接，另一路與電容C2的另一端相接，所述N溝道耗盡型MOS管Q2的源極接地，所述N溝道耗盡型MOS管Q1的漏極接12V直流電源輸出端。

3.按照權(quán)利要求1或2所述的一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：所述控制器(15)的輸入端接有開始按鍵(16)和停止按鍵(17)。

4.按照權(quán)利要求1或2所述的一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：所述傳動組件包括安裝在直線電機(jī)(13)的輸出軸上的聯(lián)軸器(12)和與聯(lián)軸器(12)連接的傳動桿(10)，所述傳動桿(10)與上立柱(8)固定連接。

5.按照權(quán)利要求1或2所述的一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：所述導(dǎo)向桿(5)的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述導(dǎo)向桿(5)對稱安裝在金屬構(gòu)件(14)兩側(cè)。

6.按照權(quán)利要求1或2所述的一種金屬構(gòu)件殘余應(yīng)力模擬測試裝置，其特征在于：所述鎖緊件的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述鎖緊件分別為第一鎖緊螺絲(6)和第二鎖緊螺絲(7)，所述第一鎖緊螺絲(6)和第二鎖緊螺絲(7)對稱安裝在金屬構(gòu)件(14)兩側(cè)。