[實用新型]太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820993205.8
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN208861998U
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設計）人: 張新勇
• 申請（專利權）人: 東泰高科裝備科技（北京）有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/0735;H01L31/0725
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;霍文娟

本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池。該太陽能電池包括依次疊置設置的襯底、背場層、基層以及發(fā)射層，背場層的摻雜類型與基層的摻雜類型相同，基層與發(fā)射層形成PN結，基層為包括多個疊置且相同的周期結構的超晶格結構層；各周期結構包括疊置設置的第一子結構層和第二子結構層，第一子結構層的摻雜類型和第二子結構層中的摻雜類型相同，第一子結構層的摻雜濃度大于第二子結構層中的摻雜濃度；或者，第一子結構層為摻雜層，第二子結構層為本征層。該太陽能電池的基層為超晶格結構層，可以減少摻雜引起的缺陷，限制電子在垂直于超晶格方向的運動，減少電子被缺陷俘獲的幾率，提高基層中的少子的壽命，從而使得電池的轉換效率提高了2％左右。

技術領域

本申請涉及太陽能電池領域，具體而言，涉及一種太陽能電池。

背景技術

隨著節(jié)能減排運動的興起，太陽能電池的應用越來越廣泛。基于質量小、體積小、可彎曲以及制作工藝簡單這些特點，太陽能電池作也被越來越廣泛地應用。

目前，單結的太陽能電池主要包括襯底、基層以及發(fā)射層，其中，基層中的少子的壽命對電池效率有很大的影響，一般地，基層需要進行一定的摻雜使其成為N型或者P型結構層，但是，由于摻雜源與晶體本身原子大小的區(qū)別，在基層摻雜的過程中會引入大量的缺陷，這樣會大大降低基層中少子的壽命，從而限制了太陽能電池的轉換效率。

在背景技術部分中公開的以上信息只是用來加強對本文所描述技術的背景技術的理解，因此，背景技術中可能包含某些信息，這些信息對于本領域技術人員來說并未形成在本國已知的現(xiàn)有技術。

實用新型內容

本申請的主要目的在于提供一種太陽能電池，以解決現(xiàn)有技術中的太陽能電池轉換效率較低的問題。

為了實現(xiàn)上述目的，根據本申請的一個方面，提供了一種太陽能電池，該太陽能電池包括依次疊置設置的襯底、背場層、基層以及發(fā)射層，其中，上述背場層的摻雜類型與上述基層的摻雜類型相同，上述基層與上述發(fā)射層形成PN結，上述基層為包括多個疊置且相同的周期結構的超晶格結構層；各上述周期結構包括疊置設置的第一子結構層和第二子結構層；上述第一子結構層的摻雜類型和上述第二子結構層中的摻雜類型相同，且上述第一子結構層的摻雜濃度大于上述第二子結構層中的摻雜濃度；或者，上述第一子結構層為摻雜層，上述第二子結構層為本征層。

進一步地，上述第一子結構層的摻雜濃度在1e18～1e22/cm³之間，上述第二子結構層中的摻雜濃度在0～1e18/cm³之間。

進一步地，上述基層的厚度在500～5000nm之間。

進一步地，上述第一子結構層有2～200個，上述第一子結構層和上述第二子結構層的個數(shù)相同。

進一步地，上述第一子結構層的厚度和上述第二子結構層的厚度之和在2.5～250nm之間。

進一步地，上述太陽能電池為III/V太陽能電池，上述第一子結構層的材料和上述第二子結構層的材料相同且選自GaAs、InP和GaN中的一種。

進一步地，上述背場層的厚度在30～200nm之間；上述背場層的材料包括Al_XGa_1-XAs和/或(Al_YGa_1-Y)_ZIn_1-ZP，其中，0≤X≤0.5，0≤Y≤0.5，0.4≤Z≤0.6。

進一步地，上述太陽能電池還包括：窗口層，設置在上述發(fā)射層的遠離上述基層的表面上，上述窗口層的摻雜類型與上述發(fā)射層的摻雜類型相同；接觸層，設置在上述窗口層的遠離上述發(fā)射層的表面上，上述接觸層的摻雜類型與上述發(fā)射層的摻雜類型相同。