[實(shí)用新型]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201820986413.5
• 申請(qǐng)日: 2018-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN208589437U
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋本千惠美;矢山浩輔;常野克己;松崎智一
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/64
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/64;H01L27/02;H01L27/08;H03K3/011
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 高培培;戚傳江

本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體裝置。多晶硅電阻的模塑封裝工藝結(jié)束后的電阻變動(dòng)率大。為了能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的修調(diào)，期望實(shí)現(xiàn)一種幾乎不受到由于模塑封裝工藝而在基板產(chǎn)生的應(yīng)力的影響的電阻。電阻元件形成于多個(gè)布線層，具有第1導(dǎo)電層(51)、第2導(dǎo)電層(52)以及層間導(dǎo)電層(53)的重復(fù)圖案，所述第1導(dǎo)電層(51)形成于第1布線層，所述第2導(dǎo)電層(52)形成于第2布線層，所述層間導(dǎo)電層(53)將第1導(dǎo)電層(51)與第2導(dǎo)電層(52)連接。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及具有使用了電阻元件的修調(diào)電路的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

當(dāng)在半導(dǎo)體裝置中設(shè)置有振蕩電路的情況下，一般設(shè)置用于修調(diào)振蕩電路的頻率特性的修調(diào)電路。修調(diào)電路具有電阻，通過(guò)調(diào)整該電阻的電阻值，能夠針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體裝置(芯片)將振蕩電路的振蕩頻率設(shè)定為期望的值。作為用于修調(diào)電路的電阻元件，公知有在形成晶體管等電路元件時(shí)使用的多晶硅電阻。公知不使半導(dǎo)體裝置的制造工序復(fù)雜化就能夠形成多晶硅電阻，其電阻率也高、面積小且能夠?qū)崿F(xiàn)高的電阻，在這點(diǎn)上是優(yōu)異的，但在模塑封裝工藝后電阻值發(fā)生變動(dòng)。這是硅芯片上的電阻元件(多晶硅電阻)受到來(lái)自模塑樹(shù)脂的應(yīng)力，由于形狀變化、壓電效果等而發(fā)生電阻值的變動(dòng)。在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，為了盡量減小多晶硅電阻從模塑樹(shù)脂受到的應(yīng)力，確定配置多晶硅電阻的部位。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2013-229509號(hào)公報(bào)

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型所要解決的課題

根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1，其目標(biāo)在于，將從多晶硅電阻的晶圓狀態(tài)(修調(diào)完成狀態(tài))起至模塑封裝工藝結(jié)束后的多晶硅電阻的電阻變動(dòng)率抑制為大概±0.5％以?xún)?nèi)。然而，近年來(lái)修調(diào)電路所要求的精度變高，期望盡可能地使電阻變動(dòng)率降低。另外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)的技術(shù)中，能夠配置多晶硅電阻的部位受到制約，因此，布局的自由度不得不變低。

其他課題和新穎的特征將根據(jù)本說(shuō)明書(shū)的敘述以及附圖而變得明確。

用于解決課題的技術(shù)方案

作為適合于修調(diào)電路的電阻元件，實(shí)現(xiàn)形成于多個(gè)布線層并將與半導(dǎo)體基板面垂直的方向設(shè)為主電阻的電阻元件。

實(shí)用新型效果

能夠?qū)崿F(xiàn)模塑封裝工藝結(jié)束后的電阻變動(dòng)率小的電阻。

附圖說(shuō)明

圖1是半導(dǎo)體裝置的框圖。

圖2是振蕩電路的電路圖。

圖3是電阻元件的概念圖。

圖4是電阻元件的安裝例。

圖5A是電阻元件的電路圖。

圖5B是電阻元件的布局(俯視圖)。

圖6A是使用了電阻元件的修調(diào)電路的電路圖。

圖6B是修調(diào)電路的布局(俯視圖)。

圖7是救濟(jì)流程。

圖8是示出電阻元件相對(duì)于封裝應(yīng)力的特性變動(dòng)率的圖。

圖9是示出封裝應(yīng)力的芯片內(nèi)分布的圖。

圖10是線性螺線管驅(qū)動(dòng)電路。

具體實(shí)施方式