[實用新型]一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構

有效

• 申請號: 201820983048.2
• 申請日: 2018-06-25
• 公開（公告）號: CN208352330U
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 武良文
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，從襯底(1)向上依序包括襯底(1)、緩沖層(2)、n型歐姆接觸層(3)、有源層(4)、p型勢壘層(5)、p型歐姆接觸層(6)，以及利用芯片制程方法制作一種至少穿過p型歐姆接觸層的窗口層(7)；其特征在于：所述緩沖層(2)、n型歐姆接觸層(3)、p型勢壘層(5)均由帶隙寬度不小于二極管發光光子能量的氮化鎵系材料所構成，所述窗口層(7)在外延層表面開口的間距范圍在1至30um，所述窗口層(7)的縱截面為方形、倒三角形、倒梯形中的一種或幾種的組合，所述襯底(1)為藍寶石襯底。

2.根據權利要求1所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述窗口層(7)的數量在一個或一個以上。

3.根據權利要求1所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述n型歐姆接觸層(3)組份為Al_xGa_1-xN，其中0.1≦x≦1。

4.根據權利要求1所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述p型勢壘層(5)組份為Al_xGa_1-xN，其中0.2≦x≦1。

5.根據權利要求1所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述部份或全部的窗口層(7)上可制作導光結構(8)。

6.根據權利要求5所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述導光結構(8)至少填滿整個窗口層(7)在所述p型歐姆接觸層(6)以下的部份。

7.根據權利要求5所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述導光結構(8)采用二氧化硅等折射系數小于氮化鎵的材料所制作。

8.根據權利要求1所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述部份或全部的窗口層(7)上可制作反射結構(9)。

9.根據權利要求8所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述反射結構(9)至少填滿整個窗口層(7)在所述p型歐姆接觸層(6)以下的部份。

10.根據權利要求8所述的一種發光波長短于365nm的氮化鎵系發光二極管結構，其特征在于：所述反射結構(9)采用金屬反射鏡或分布式布拉格反射鏡所制作。