[實用新型]三維存儲器

有效

• 申請號: 201820973640.4
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN208589445U
• 公開（公告）日: 2019-03-08
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11573;H01L27/1157
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種三維存儲器，其特征在于包括襯底和位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括交替堆疊的導電層和介質層，所述堆疊層中具有多個接觸部，所述多個接觸部的每個接觸部分別與各自預定深度的導電層接觸，其中每個接觸部貫穿對應的導電層之上的一個或多個導電層和/或介質層，且每個接觸部的側壁和被所述每個接觸部貫穿的導電層之間具有絕緣層。

2.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆疊層的上表面是平整的。

3.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，每個所述導電層和每個所述介質層沿字線方向連續地延伸。

4.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述襯底中具有第一摻雜類型的深阱。

5.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述堆疊層中具有柵極隔槽，所述柵極隔槽內設有絕緣層和位于所述絕緣層內的陣列共源極。

6.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述多個接觸部與所述導電層一體成型。

7.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述導電層和所述接觸部的材料為金屬或金屬氧化物。

8.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述絕緣層的材料為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅或氧化鋁。

9.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述介質層的材料為氧化硅、未摻雜多晶硅、非晶硅或非晶碳。

10.如權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述三維存儲器為電荷俘獲型三維NAND存儲器。