[實用新型]雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820971142.6 | 申請日: | 2018-06-22 |
| 公開(公告)號: | CN208834018U | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 冉文方 | 申請(專利權(quán))人: | 西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司 |
| 主分類號: | G02B27/28 | 分類號: | G02B27/28;G02B5/30 |
| 代理公司: | 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王海棟 |
| 地址: | 710065 陜西省西安市高新區(qū)高新路86號*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 手性結(jié)構(gòu)單元 金屬納米薄膜 二維陣列 光學器件 手性結(jié)構(gòu) 雙結(jié)構(gòu) 手性 組合型 字縫 本實用新型 金屬膜 基底 磁偶極子 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu) 圓二色性 單結(jié)構(gòu) | ||
本實用新型涉及一種雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件,包括:基底和位于基底上的手性結(jié)構(gòu)二維陣列;手性結(jié)構(gòu)二維陣列包括多個手性結(jié)構(gòu)單元;手性結(jié)構(gòu)單元包括金屬膜、開設(shè)在金屬膜上的“U”型縫和“一”字縫。本實用新型實施例的雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件,采用由多個雙結(jié)構(gòu)金屬納米薄膜手性結(jié)構(gòu)單元組成的手性結(jié)構(gòu)二維陣列,手性結(jié)構(gòu)單元在單個“U”型縫的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之上又添加一個“一”字縫,在“一”字縫附近產(chǎn)生出更多的磁偶極子,相比現(xiàn)有的具有單結(jié)構(gòu)手性結(jié)構(gòu)單元組成的手性結(jié)構(gòu)二維陣列的手性光學器件,顯著增強了圓二色性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及光學領(lǐng)域,特別涉及一種雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件。
背景技術(shù)
手性是指結(jié)構(gòu)與其鏡像不能重合的性質(zhì),手性結(jié)構(gòu)普遍存在于大自然中,例如蛋白質(zhì)、糖類化及DNA等生物大分子,手性在生物化學和生命進化中起著關(guān)鍵的作用,因此對手性分子的手性分析至關(guān)重要。
目前分子手性分析最直接有效的技術(shù)是圓二色譜,該技術(shù)的原理是手性分子對左右圓偏振光的吸收不同。當單色左旋與右旋的圓偏振光照射某一種手性樣品時,該手性樣品對左右旋圓偏振光的吸收不同,這種手性分子在不同波長下吸收差值稱為圓二色譜。
手性根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點可以分為:內(nèi)在手性和外在手性。內(nèi)在手性即結(jié)構(gòu)本身具有的手性,外在手性指結(jié)構(gòu)與入射光一起構(gòu)成的手性。
在手性分子非對稱性的研究中,當左旋圓偏振光和右旋圓偏振光入射時,手性材料會呈現(xiàn)出不同的有效折射率且傳播速度也不同。當超材料有極強的手性時,甚至會呈現(xiàn)出負折射率,負折射率材料也被稱為手性超材料。利用負折射率材料可以對物體進行隱身,實現(xiàn)突破衍射極限的亞波長分辨率成像等等。這對于物理學、工程學、光學和材料學等領(lǐng)域的研究有可能產(chǎn)生重大的影響。因此對于手性結(jié)構(gòu)的研究成為了電磁學和光學領(lǐng)域最前沿的研究課題。現(xiàn)有技術(shù)對手性結(jié)構(gòu)研究中,通過設(shè)計二維的金屬薄膜手性結(jié)構(gòu)已經(jīng)可以實現(xiàn)對光束偏振特性的調(diào)制或者用來檢測手性物質(zhì)的圓二色譜,但是當被檢測信號本身比較微弱時,得到的圓二色譜信號不明顯,即檢測效果不太好。
實用新型內(nèi)容
因此,為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷和不足,本實用新型提出一種雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件。
具體地,本實用新型一個實施例提出的一種雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件,包括:
基底和位于基底上的手性結(jié)構(gòu)二維陣列;
手性結(jié)構(gòu)二維陣列包括多個手性結(jié)構(gòu)單元;
手性結(jié)構(gòu)單元包括金屬膜、開設(shè)在金屬膜上的“U”型縫和“一”字縫。
在本實用新型的一個實施例中,手性結(jié)構(gòu)二維陣列中,若干手性結(jié)構(gòu)單元沿橫向排列的第一周期等于沿縱向排列的第二周期。
在本實用新型的一個實施例中,“一”字縫位于“U”型縫的一側(cè),與“U”型縫的下臂長平行放置。
在本實用新型的一個實施例中,金屬膜的材料為金,厚度為20nm~100nm。
基于此,本實用新型具備如下優(yōu)點:
本實用新型實施例的雙結(jié)構(gòu)組合型金屬納米薄膜手性光學器件,采用由多個雙結(jié)構(gòu)金屬納米薄膜手性結(jié)構(gòu)單元組成的手性結(jié)構(gòu)二維陣列,手性結(jié)構(gòu)單元在單個“U”型縫的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)之上又添加一個“一”字縫,在“一”字縫附近產(chǎn)生出更多的磁偶極子,相比現(xiàn)有的具有單結(jié)構(gòu)手性結(jié)構(gòu)單元組成的手性結(jié)構(gòu)二維陣列的手性光學器件,顯著增強了圓二色性。
通過以下參考附圖的詳細說明,本實用新型的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當知道,該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計,而不是作為本實用新型的范圍的限定,這是因為其應(yīng)當參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當知道,除非另外指出,不必要依比例繪制附圖,它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。
附圖說明
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