[實(shí)用新型]納米級單晶薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201820963329.1 | 申請日： | 2018-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN208385458U | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡卉;朱厚彬;胡文;羅具廷;張秀全;李真宇;李洋洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 濟(jì)南晶正電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L41/18 | 分類號： | H01L41/18;H01L41/312;H01L41/39;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 李婷;薛義丹 |
| 地址： | 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)港興*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米級 單晶薄膜 過渡層 隔離層 單晶薄膜層 襯底層 鍵合力 本實(shí)用新型 傳輸損耗 電子器件 內(nèi)部缺陷 成品率 增大的 使用率 襯底 鍵合 切割 | ||
1.一種納米級單晶薄膜，其特征在于，所述納米級單晶薄膜包括：
納米級單晶薄膜層；
隔離層；
襯底層；以及
第一過渡層和第二過渡層，第一過渡層位于納米級單晶薄膜層與隔離層之間，第二過渡層位于隔離層與襯底層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，第一過渡層和第二過渡層的厚度不同，第一過渡層包含濃度為1×1019個原子/cc～1×1022個原子/cc的H元素，并且還包含等離子體處理時所使用的元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，納米級單晶薄膜層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰或石英，納米級單晶薄膜層的厚度為10nm～2000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，襯底層的材料為鈮酸鋰、鉭酸鋰、硅、石英、藍(lán)寶石或碳化硅，襯底層的厚度為0.1mm～1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，隔離層為二氧化硅層，隔離層的厚度為0.05μm～4μm，第一過渡層的厚度為2nm～10nm，第二過渡層的厚度為0.5nm～15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、3、4或5所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，納米級單晶薄膜層的材料與襯底層的材料相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、3、4或5所述的納米級單晶薄膜，其特征在于，納米級單晶薄膜層的材料與襯底層的材料不相同。
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