[實用新型]三維存儲器

有效

• 申請號: 201820962326.6
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN208298832U
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發明（設計）人: 肖莉紅;陶謙;湯召輝;唐志武;黃海輝;黃竹青;王家友;蒲浩;潘國衛;閔源
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/1157
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

本實用新型提供一種三維存儲器，包括：襯底；位于所述襯底上的堆疊層，所述堆疊層包括沿垂直于所述襯底的方向間隔排列的若干層柵極層；穿過所述堆疊層的溝道孔；位于所述溝道孔內的溝道層和漏極；所述漏極位于所述溝道層之上，所述漏極沿所述溝道孔的徑向向外的方向突出于所述溝道層。本實用新型提供的三維存儲器由于具有沿溝道孔的徑向向外的方向突出于溝道層的漏極，所以其導電接觸孔與漏極之間發生錯位的概率較低，在生產過程中能夠具有較好的良率。

技術領域

本實用新型主要涉及半導體技術領域，尤其涉及一種三維存儲器。

背景技術

隨著對高度集成電子裝置的持續重視，對以更高的速度和更低的功率運行并具有增大的器件密度的半導體存儲器件存在持續的需求。為達到這一目的，已經發展了具有更小尺寸的器件和具有以水平和垂直陣列布置的晶體管單元的多層器件。三維是業界所研發的一種新興的閃存類型，通過垂直堆疊多層數據電荷捕獲來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制，其具備卓越的精度，支持在更小的空間內容納更高的存儲容量，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達數倍的存儲設備，進而有效降低成本和能耗，能全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。

漏極是用于將溝道孔中的電路與外部電路連接的電極。受到溝道孔半徑和存儲器膜厚度等因素的制約，目前的NAND存儲器中，漏極的在水平方向的尺寸較小。水平方向尺寸較小的漏極會造成在鎢填充工藝中形成的鎢電極不能與漏極連接的風險。鎢電極與漏極連接不能連接就會進而導致器件不可用。因此目前在制作鎢電極時往往需要采用具有較高精度的較為昂貴的光刻機(例如Immersion光刻機)。

因此有必要提供一種具有在水平方向上尺寸較大的漏極的三維存儲器。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題包括一種具有在水平方向上尺寸較大的漏極的三維存儲器及其制備方法。

為解決上述技術問題中的至少一部分，本實用新型的至少一個實施例提供一種三維存儲器，包括：

襯底；

位于該襯底上的堆疊層，該堆疊層包括沿垂直于該襯底的方向間隔排列的若干層柵極層；

穿過該堆疊層的溝道孔；

位于該溝道孔內的溝道層和漏極；

該漏極位于該溝道層之上，該漏極沿該溝道孔的徑向向外的方向突出于該溝道層。

根據本實用新型的至少一個實施例，三維存儲器還包括：位于該溝道孔內的存儲器膜，該存儲器膜的至少一部分環繞該溝道層，該漏極的至少一部分位于該存儲器膜上。

根據本實用新型的至少一個實施例，該漏極在垂直于該襯底的方向上的高度的范圍50納米至500納米。

根據本實用新型的至少一個實施例，該存儲器膜層包括沿該溝道孔的徑向向內的方向依次形成的阻擋氧化層、電荷捕獲層、隧穿氧化層；

其中該電荷捕獲層的材料為氮化硅，該阻擋氧化層和該隧穿氧化層的材料為氧化硅。

根據本實用新型的至少一個實施例，還包括位于該溝道孔底部的硅層，該硅層與該溝道層電性接觸。

根據本實用新型的至少一個實施例，該漏極的材料包括多晶硅。

根據本實用新型的至少一個實施例，該溝道層的材料包括多晶硅。

本實用新型的三維存儲器，由于能夠使三維存儲器的漏極在沿溝道孔的徑向方向上向外突出于溝道層，沿溝道孔的徑向方向上(以下簡稱為水平方向)的尺寸較大。所以本實用新型的三維存儲器的導電接觸孔與漏極之間發生錯位的概率較低，在生產過程中能夠具有較好的良率。

附圖說明