[實用新型]具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201820960025.X
• 申請日: 2018-06-21
• 公開（公告）號: CN208316564U
• 公開（公告）日: 2019-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬洪娜;洪麗娟;鄭文
• 申請（專利權(quán)）人: 公安部第三研究所
• 主分類號: H02M1/14
• 分類號: H02M1/14
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔;鄭暄

本實用新型涉及一種具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)，其中，所述的濾波電路結(jié)構(gòu)包括一變?nèi)荻O管，所述的變?nèi)荻O管的陰極與所述的濾波電路結(jié)構(gòu)中的兩個端口之間的引出點相連接，所述的變?nèi)荻O管的陽極接地。采用該種結(jié)構(gòu)的濾波電路結(jié)構(gòu)，通過該變?nèi)荻O管實現(xiàn)濾波帶寬大大變寬，通過對電壓控制端的電壓的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)抑制點可以根據(jù)需要連續(xù)移動，濾波效果好，改善了現(xiàn)有技術(shù)中通過在電路中并聯(lián)幾顆濾波電容導(dǎo)致的濾波帶寬較窄的不足，同時解決了并聯(lián)電容會相互組合產(chǎn)生抑制效果極差的諧振點的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電路結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及濾波電路技術(shù)領(lǐng)域，具體是指一種具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中針對電源，尤其是DC-DC電源、方波時鐘等容易產(chǎn)生高頻噪聲的敏感電路上，通常會在這些電路的源端上并聯(lián)幾個容值不同的濾波電容，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中并聯(lián)兩個電容的濾波電路的結(jié)構(gòu)示意圖，圖中在電路的兩個端口之間并聯(lián)了兩個電容，分別為第一電容C1與第二電容C2，其中第一電容C1為100pF，第二電容C2為33pF，第一電容從與第一端口Port1相接近，第二電容從與第二端口Port2相接近，在類似于圖1中的這種并聯(lián)多顆電容的電路中雖然能夠增加濾波帶寬的作用，但多顆并聯(lián)電容形成的諧振區(qū)也大大惡化了濾波效果，如圖2所示，圖2為圖1中的并聯(lián)兩個電容的濾波電路的濾波效果圖，其中，橫軸代表頻率，其單位為GHz，縱軸代表插入損耗，其單位為(dB)，從圖2中可以看出，圖2中M2點所示的抑制點是由圖1中的C1產(chǎn)生的，其中C1為100pF，抑制930MHz附近的干擾，M3點所示抑制點是由圖1中的C2產(chǎn)生的，其中C2為33pF，抑制642MHz附近的干擾。M1點是由圖1中C1(100pF)的感性區(qū)和C2(33pF)的容性區(qū)諧振產(chǎn)生的諧振點，M1點是抑制效果只有12dB，是抑制效果最差的點，是濾波電路中不希望有的。所以并聯(lián)兩個濾波電容只有在M2點和M3點附近產(chǎn)生較好的濾波效果，但是因為有諧振點M1的存在大大減少了濾波的帶寬，同理，并聯(lián)多顆電容也會產(chǎn)生類似的現(xiàn)象。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是克服了上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，提供了一種改善濾波帶寬較窄的不足的、結(jié)構(gòu)簡單，綜合性能較優(yōu)的具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型的具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)具有如下構(gòu)成：

該具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)，其主要特點是，所述的濾波電路結(jié)構(gòu)包括一變?nèi)荻O管，所述的變?nèi)荻O管的陰極與所述的濾波電路結(jié)構(gòu)中的兩個端口之間的引出點相連接，所述的變?nèi)荻O管的陽極接地。

較佳地，所述的變?nèi)荻O管的陰極與所述的濾波電路結(jié)構(gòu)中的兩個端口之間的引出點之間還串接一電容。

更佳地，所述的電容的大小由所述的濾波電路結(jié)構(gòu)的濾波頻段所決定。

更佳地，所述的電容與所述的變?nèi)荻O管的陰極的連接處引出一端點連接一電壓控制端。

更進(jìn)一步的，述的電壓控制端的電壓控制范圍由所述的濾波電路結(jié)構(gòu)的濾波頻段所決定。

更進(jìn)一步的，所述的電壓控制端與所述的電容與所述的變?nèi)荻O管的陰極的連接處引出一端點之間還串接一電阻。

更進(jìn)一步的，所述的電壓控制端為一內(nèi)置預(yù)設(shè)電壓參數(shù)的寄存器。

更佳地，所述的電容的型號為muRata的56pF。

較佳地，所述的變?nèi)荻O管的型號為東芝的1SV302。

采用該具有變?nèi)荻O管的濾波電路結(jié)構(gòu)，電路結(jié)構(gòu)中在兩個端口中并聯(lián)一變?nèi)荻O管，通過該變?nèi)荻O管實現(xiàn)濾波帶寬大大變寬，通過對電壓控制端中的電壓參數(shù)的調(diào)節(jié)，實現(xiàn)抑制點可以根據(jù)需要連續(xù)移動，濾波效果好，改善了現(xiàn)有技術(shù)中通過在電路中并聯(lián)幾顆濾波電容導(dǎo)致的濾波帶寬較窄的不足，同時解決了并聯(lián)電容會相互組合產(chǎn)生抑制效果極差的諧振點的問題。

附圖說明